全永鉉

全永鉉（Young Hyun Jun），三星電子設備解決方案（DS）部門負責人，三星電子聯合執行長。2024年5月21日接任該職位，主管晶片等業務的全球運營，此前他曾擔任三星SDI社長，主導存儲晶片及電池業務發展。

全永鉉上任後面對半導體市場波動，主導業務重組計畫，包括精簡代工業務、重組半導體研究中心，並將戰略重心轉向人工智慧晶片領域。2024年10月，全永鉉因第三季度業績未達預期公開致歉。2025年3月27日，其領導部門宣布退出LED業務以聚焦功率半導體和Micro LED技術。同年下半年，他宣布採用第六代1c DRAM工藝量產LPDDR6記憶體，計畫向高通等企業供貨，在HBM晶片領域，三星加速推進HBM4量產進程，良率提升至50%並進入英偉達認證階段。2026年1月，全永鉉在新年致辭中表示，三星下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片HBM4的差異化競爭力得到了客戶的好評，三星正在討論向英偉達供應HBM4，並計畫在2026年集中大規模生產HBM4產品。2026年3月，全永鉉在接受媒體採訪時表示，三星正在與主要客戶合作，將交易模式轉變為固定期限的供應契約，即三年至五年期限的長期協定。

基本介紹

• 外文名：Young Hyun Jun
• 中文名：全永鉉
• 現任職務：三星電子聯合執行長
• 所屬部門：設備解決方案（DS）部門
• 任職時間：2024年5月（DS部門負責人）       
• 曾擔任：三星SDI社長  
• 業務調整：2025年退出LED業務 
• 最新晉升：2024年11月兼任三星聯合執行長，同時負責DS和存儲晶片業務 

應對半導體危機

• 業務重組：精簡代工業務架構，重組半導體研究中心。
• 戰略轉向：將業務重點轉向人工智慧（AI）晶片，以應對半導體市場的變化。
• 2024年10月，全永鉉因第三季度業績未達預期公開致歉。
• 2026年1月2日，全永鉉在新年致辭中表示，三星下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片HBM4的差異化競爭力受到客戶關注，並提及三星在該領域的進展。
• 2026年3月，全永鉉在接受媒體採訪時表示，三星正在與主要客戶合作，將交易模式轉變為三年至五年期限的長期供應協定，以提前應對市場波動、靈活調整投資，並對簽約客戶給予折扣。此舉旨在鎖定長期需求、平抑市場風險，並基於公司對晶片短缺潮將於2028年結束的預測，嚴格管控投資以避免過度擴張。

職業經歷

• 2014年11月，升任三星電子半導體事業暨裝置解決方案事業部存儲晶片部門部長；
• 2023年底，擔任未來事業企劃團負責人，探索公司未來核心產業；
• 2024年5月，接掌設備解決方案（DS）部門，應對半導體市場下滑；
• 2024年11月，晉升為聯合執行長，統籌DS部門與存儲晶片業務。
• 2025年11月，擔任三星電子的聯合 CEO。

重大決策

• 退出非核心業務：2025年3月主導終止LED業務，集中資源發展功率半導體與Micro LED技術；
• 技術布局：在尖端存儲晶片領域與SK海力士展開競爭，重點突破高頻寬存儲晶片技術。