偽隨機存取存儲器

基本介紹

  • 中文名:偽隨機存取存儲器
  • 類型:存儲器
  • 隸屬:東芝
  • 特點:小巧便捷
據東芝的發言人Kenichi Sugiyama介紹,該公司已成功地將疊層式多晶片包的規格從目前的12乘9毫米縮小至10乘7毫米。
據該公司的聲明稱,新的晶片包將把4塊記憶體晶片疊放在一起。這些晶片分別是一塊8兆位元組的SRAM (靜態隨機存取存儲器)、一塊32兆位元組的PSRAM (偽隨機存取存儲器)和兩塊64兆位元組的NOR快閃記憶體。
隨著功能和無線網際網路服務的不斷增加,行動電話變得越來越複雜,為了不使手機的體積變大,就需要配置更多的記憶體晶片。東芝舉例說明,SRAM作為一個緩衝和工作存儲器,NOR快閃記憶體支持套用,PSRAM用作高密度緩衝存儲器,NAND快閃記憶體則用作檔案存儲器。為了節省空間,這些晶片被安置在一個疊層式多晶片包中。據東芝稱,它的最新成果將使同樣容量的晶片可被安裝在一個更小巧的晶片包中。
據Sugiyama透露,東芝計畫4月份以9000日元(相當於68美元)的價格在全球進行試銷,從5月開始批量生產。
從6月起,東芝還將推出多種組合的12乘9毫米疊層式晶片包,包括16兆的SRAM、64兆的PSRAM、128兆的NOR和128兆的NAND快閃記憶體。

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