余振華（Douglas C.H. Yu），1955年出生於中國台灣省基隆市，華裔美國人，美國國家工程院院士，台灣積體電路製造股份有限公司（以下簡稱“台積電”）Pathfinding for System Integration副總經理。
余振華於1977年獲得台灣清華大學學士學位；1979年獲得台灣清華大學碩士學位；1987年獲得喬治亞理工學院博士學位；1987年—1994年任貝爾實驗室研究員、項目負責人；1994年—2002年任台積電研發部副主管、主管兼工藝模組開發總監；2002年—2005年任台積電研發部先進收縮技術開發處處長；2005年—2007年任台積電先進模組技術發展處資深處長；2008年—2016年任台積電系統整合技術處資深處長；2016年任台積電Pathfinding for System Integration副總經理。
余振華的研究專長為先進半導體製造技術研發、先進封測製造技術研發。
基本介紹
人物經歷,主要成就,科研成就,所獲榮譽,社會任職,人物評價,
人物經歷
1973年—1977年，就讀於台灣清華大學物理系，畢業獲得學士學位。
1977年—1979年，就讀於台灣清華大學材料研究所，畢業獲得碩士學位。
1982年—1987年，就讀於喬治亞理工學院，畢業獲得博士學位。
1987年—1994年，任貝爾實驗室研究員、項目負責人。
1994年—2002年，任台積電研發部副主管、主管兼工藝模組開發總監。
2002年—2005年，任台積電研發部先進收縮技術開發處處長。
2005年—2007年，任台積電先進模組技術發展處資深處長。
2008年—2016年，任台積電系統整合技術處資深處長。
2016年，任台積電Pathfinding for System Integration副總經理。
主要成就
科研成就
- 科研綜述
1997年起，余振華開始在台積電從事銅製程研發工作，以自力自主的方式，首先開發出0.18微米的銅製程，奠定了台積電在先進制程技術的基礎。其後經不斷的努力，解決量產上的多重挑戰，150納米技術進入量產；因開發出130納米技術，主導該產業確立銅製程取代鋁製程。
余振華
余振華帶領台積電率先成功研發出銅導線/低介質互連技術，領先推出台積電的晶圓級系統整合技術，開發出異質微系統的2D/3D整合技術。他研發出領先全球的矽中間層（CoWoS）封裝技術、整合型扇出（InFO）封裝技術及矽通孔（TSV）封裝技術，可套用於高效能高頻寬，低耗能的微系統晶片，促使台積電成為iPhone 7的獨家晶片供應商。余振華領先以矽晶穿孔技術整合IC與感應元件，實現手機移動支付，在全球開啟3D-IC時代。
- 學術論著
據2023年4月上海國際半導體展覽會官網顯示，余振華發表了150多篇技術出版物。
- 專利成果
據2023年4月台灣積體電路製造股份有限公司官網顯示，余振華累計已獲得超過1800項的全球專利。
- 科研獎勵
自1996年起，余振華連續八年獲得台積電優良專利創新發明獎，並於2002年和2003年獲得台積電董事長頒發的歷年來最佳專利獎。
所獲榮譽
時間 | 榮譽表彰 |
|---|---|
2001年 | 台灣地區發明獎 |
2003年 | 中國台灣傑出科學技術獎 |
2009年 | 台灣地區工程師學會傑出工程師獎 |
2013年 | 電氣與電子工程師學會會士（IEEE Fellow） |
2016年 | 台灣清華大學理學院傑出校友 |
2017年 | 台灣地區領導人科學獎 |
2018年 | 電氣與電子工程師學會電子封裝分會（IEEE EPS）傑出製造技術獎 |
2020年 | 台積電卓越科技院士 |
2022年 | 電氣與電子工程師學會Rao Tummala獎 |
2023年 | 美國國家工程院院士 |
社會任職
擔任職務 |
|---|
電氣與電子工程師學會國際互連技術大會（IEEE IITC）聯合主席 |
麻省理工學院微技術系統實驗室產學聯盟指導委員會委員 |
國際構裝暨電路板研討會（IMPACT）指導委員會委員 |
國際半導體產業協會封裝測試委員會共同主席 |
人物評價
余振華是台灣地區半導體製程技術領先全球的重要推手，是世界級次微米IC後段連線製程（Interconnect） 創新技術的權威，在銅製程關鍵的低介電材料（low-K）的精準判斷和產業實踐對台積電從0.13微米逐步走向領先有很大的貢獻。（中國台灣科技主管部門評）
余振華在業界持續奉獻，待人謙和有禮，如台灣清華大學的校花——梅花暗香浮動，是典型的清華人，更是學弟、學妹的榜樣。（時任台灣清華大學校長賀陳弘評）
