位錯蝕坑

位錯蝕坑是指在一定的侵蝕條件下，金屬被侵蝕表面用以顯示位錯在晶體表面的露頭而形成的蝕坑。若施加外力令材料發生一系列微小變形，則每次變形後某一特定位錯都將處於不同的位置。如果每次變形後都對材料表面進行腐蝕，則同一位錯形成的一系列腐蝕坑將粗略地顯示出位錯運動的軌跡。

基本介紹

• 中文名：位錯蝕坑
• 外文名：dislocation etch pit
• 學科：材料工程
• 領域：工程技術

特點

位錯蝕坑往往呈現多面的錐體狀，錐體的表面具有一定的結晶學取向，有的浸蝕劑只能在低指數晶面上產生蝕坑位錯蝕坑用以研究小角晶界上蝕坑的排列與位錯之間的對應關係。

間接觀察

若材料中的位錯線與材料表面相交（俗稱位錯“露頭”），則交點處附近由於位錯應力場的存在，其化學穩定性將低於表面的其它部分。若用酸性腐蝕劑（如氫氟酸和硝酸的混合溶液）對這樣的表面進行腐蝕，則位錯“露頭”處的腐蝕速度將遠高於其它部分，可形成一個“腐蝕坑”。再利用一些表面顯微觀察技術（如掃描電子顯微鏡、干涉顯微鏡等等）便可以觀察到位錯的“露頭”位置。

直接觀察

利用透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，簡稱TEM）可直接觀察到材料微結構中的位錯。TEM觀察的第一步是將金屬樣品加工成電子束可以穿過的薄膜。在沒有位錯存在的區域，電子通過等間距規則排列的各晶面時將可能發生衍射，其衍射角、晶面間距及電子波長之間滿足布拉格定律（Bragg's law）。而在位錯存在的區域附近，晶格發生了畸變，因此衍射強度亦將隨之變化，於是位錯附近區域所成的像便會與周圍區域形成襯度反差，這就是用TEM觀察位錯的基本原理，因上述原因造成的襯度差稱為衍射襯度。