| 中文名稱 | 位錯生長 |
| 英文名稱 | growth by dislocation |
| 定 義 | 由垂直於生長界面並在生長界面“露頭”處形成的一種台階生長。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料合成、製備與加工（三級學科），晶體生長（四級學科） |
| 中文名稱 | 位錯生長 |
| 英文名稱 | growth by dislocation |
| 定 義 | 由垂直於生長界面並在生長界面“露頭”處形成的一種台階生長。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料合成、製備與加工（三級學科），晶體生長（四級學科） |
中文名稱 位錯生長 英文名稱 growth by dislocation 定義 由垂直於生長界面並在生長界面“露頭”處形成的一種台階生長。 套用學科 材料科學技術(一級學科),...
螺旋位錯生長機理 Screw dislocation growth mechanism非理想晶面上的電結晶機理。此理論認為,實際晶體是不完 整的,生長面l存在螺旋位錯露頭點,可以作為晶體生長的...
螺型位錯(screw dislocation)又稱螺旋位錯(Burgers dislocation)。一個晶體的某一部分相對於其餘部分發生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。...
在外延生長前,反應管內在高溫下用乾燥氯化氫、溴或溴化氫進行原位拋光,以減少層錯缺陷;為減少位錯須避免襯底邊緣損傷、熱應力衝擊等;為得到重複均勻的厚度和摻雜...
6.等徑生長 當晶體基本實現等徑生長並達到目標直徑時,就可實行直徑的自動控制。在等徑生長階段,不僅要控制好晶體的直徑,更為重要的是保持晶體的無位錯生長。晶...
《晶體中的位錯(重排本)》是2014年出版的圖書,作者是錢臨照。...... 篇二 晶體中位錯的觀測第一章 引言第二章 晶體的生長蜷線第三章 侵蝕法3.1 侵蝕法中的...
認為晶體在成長初期按層生長機理成長,但之後當晶格內部積蓄了內應力後,將可能導致晶格發生剪下滑移而出現螺型位錯,使得原來平整的晶格表面產生了一個局部的台階,其...
因為在高分子單晶的生長過程中,在晶體的中央處產生了一個螺旋位錯,使結晶不受限制地連續螺旋生長。V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:4次歷史版本 ...
為了解釋低驅動力作用下光滑晶面的生長,F.C.夫蘭克於1949年提出螺型位錯在晶面露頭處會形成永填不滿的台階,促進晶面的生長。在晶體生長表面上觀測到的螺旋台階...
為了達到單晶的高度完整性,在接好籽晶後生長一段直徑約為2～3毫米、長約10～20毫米的細頸單晶,以消除位錯。此外,區熔矽的生長速度超過約5～6毫米/分時,還...
層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上,當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後,經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯,稱之為OISF。因為每個層錯都...