三重光刻技術

三重光刻技術是把設計版圖拆分放置在三塊掩模上，分別進行三次光刻、刻蝕的技術。

基本介紹

• 中文名：三重光刻技術
• 外文名：LELELE

10nm節點邏輯器件的第一層金屬（Metal 1）中圖形的最小周期是44~48nm，需使用三重光刻技術，因為雙重光刻技術（LELE）已經不能滿足解析度的要求。10nm節點的其他關鍵光刻也需要三重光刻技術來滿足解析度的要求。

從工藝流程來說，三重光刻技術（LELELE）與雙重光刻技術（LELE）差別不大，無非是再增加一次光刻和刻蝕（LE）。三重光刻技術的難度主要是如何做圖形的拆分（pattern decomposition），即如何把圖形拆分到三張掩模上可以得到較好的工藝視窗。