WriteBooster

WriteBooster是通用快閃記憶體存儲（UFS）協定中引入的一項寫入加速技術。該技術首次隨UFS 2.2標準於2020年8月由JEDEC固態技術協會公布。

其原理是在TLC快閃記憶體中劃分部分區域模擬SLC模式作為高速快取區，數據優先寫入此區域以提升寫入速度，待系統空閒時再遷移至常規存儲區。後續的UFS 3.1等標準均支持該技術。它適用於瞬間大量數據寫入場景，如連拍照片或下載大型檔案，並能加速套用啟動與檔案傳輸，在5G及AI套用中發揮作用。美光等廠商還提出了增強型WriteBooster，可固定常用數據以提升隨機讀取速度。

技術原理

WriteBooster是JEDEC在UFS協定中引入的一項寫入加速技術，旨在通過使用偽SLC快取來提高寫入速度。其基本工作原理是在TLC快閃記憶體中劃分出一部分區域，使其模擬SLC的工作模式，形成一個高速寫入快取區。當系統需要執行大量數據寫入操作時（例如連續拍照、下載大型檔案），數據會被優先高速寫入這個SLC快取區。待系統進入空閒狀態後，存儲主控再將快取區中的數據遷移到常規的TLC存儲區域進行長期保存。這種機制使得用戶在多數場景下能體驗到接近SLC的高速寫入性能。

WriteBooster功能利用現有的用戶數據區域作為臨時SLC緩衝區，從而在不犧牲總存儲容量的前提下提升性能。主機可以在設備配置時根據性能需求靈活設定快取區的大小，並能在運行過程中動態啟用或調整該功能，以適應不同套用場景（如5G高速下載）的需求。此外，還存在基於此原理的增強型實現。例如，美光提出的“增強型WriteBooster”功能，允許智慧型手機處理器將常用數據“固定”在存儲設備的WriteBooster區域內。這種固定機制使得處理器能更高效地將重要數據從存儲動態載入到記憶體。

發展歷史

WriteBooster功能首次隨JEDEC發布的UFS 3.1標準（JESD220E）引入。2020年，JEDEC在UFS 2.2標準（JESD220C-2.2）中加入了WriteBooster功能。在UFS 3.0向UFS 3.1過渡時期，已有廠商通過軟體為UFS 3.0設備添加寫入加速功能。在後續的UFS 4.1標準中，WriteBooster功能得到持續支持和最佳化，例如支持緩衝區調整和固定部分刷新模式。

產品套用與實例

WriteBooster技術已被納入UFS 2.2、UFS 3.1、UFS 4.0/4.1等標準。該技術得到了多家存儲廠商和晶片平台的支持，廣泛套用於移動設備和汽車等領域。

西部數據的iNAND MC EU521是業界首批支持UFS 3.1Write Booster特性的嵌入式快閃記憶體方案之一。鎧俠、美光、三星等廠商的UFS存儲產品均支持WriteBooster技術。聯發科天璣720、天璣800U等晶片平台支持UFS 2.2標準，從而支持WriteBooster功能。此外，該技術已擴展至汽車領域，出現在車規級UFS存儲產品中，如江波龍發布的車規級UFS產品支持Write Booster加速功能。

套用場景

Write Booster技術的引入，有助於提升隨機寫入性能，為更多元化、更高強度的套用場景提供支持。

在移動設備日常使用中，該技術可加速套用啟動與檔案傳輸，其寫入速度的提升也影響到套用的安裝、啟動以及檔案快取、大檔案讀寫等場景。當用戶需要同時使用日常套用和AI套用時，可利用增強型WriteBooster功能為AI模型的數據創建記憶體映射，實現更快的數據交換和讀取。

在攝影與媒體創作以及高速網路內容下載場景下，當系統需要瞬間寫入大量數據，例如連拍照片或下載大型遊戲資源包時，WriteBooster技術能提升寫入速度。該技術可提高高清視頻錄製存儲速度，並適用於下載4K/8K媒體內容、從雲端傳輸較大檔案和遊戲等場景。該功能可根據系統性能要求動態啟用，例如在5G套用中，UFS 3.1快閃記憶體支持該技術。

在汽車電子與物聯網領域，車規級UFS支持Write Booster加速等功能。UFS 4.1支持的WriteBooster功能可根據5G和其他應用程式的系統性能需求而動態啟用。