MIS器件

由金屬(M)-絕緣體(I)-半導體(S)組成的體系稱為MIS結構，以這種結構形成的器件稱為MIS器件（MIS二極體）。如果其中的絕緣體是SiO2，則相應地為MOS結構和MOS二極體。

基本介紹

• 中文名：MIS器件
• 結構：金屬
• 基本功能：MIS電容器
• 基本功能：MIS隧道器件

（一）MIS器件的：

MIS器件的功能主要決定於其中絕緣體層的厚度：

（1）假若絕緣體層的厚度足夠大（對於絕緣體層是SiO2層的情況，大於5nm），則基本上不導電，這時即為MIS電容器；

（2）假若絕緣體層的厚度足夠薄（對於絕緣體層是SiO2層的情況，大約為1nm），則絕緣體基本上不起阻擋導電的作用（阻抗極小），這時即為Schottky二極體；

（3）假若絕緣體層的厚度不是很薄、也不是很厚（對於絕緣體層是SiO2層的情況，大約為1nm～5nm），則這時載流子有較大的幾率通過隧道效應而穿過絕緣體層，這種結構的器件即稱為MIS隧道二極體。

（二）：

由於MIS隧道二極體的獨特性能，具有許多用途，現在已經發展成了一大族的器件（MIS隧道器件），如MIS太陽電池、MIS開關管、MIM隧道二極體、MIMIM隧道電晶體等。