GaN，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現今半導體照明中藍光發光二極體的核心材料。工業上採用MOCVD和HVPE設備來外延生長。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵
- 外文名：GaN
- 點群：P63mc
- 屬於：第三代半導體材料
- 禁頻寬度：3.39～3.41eV
物理結構,電信,
物理結構
GaN 半導體材料有二種基本結構：纖鋅礦（Wurtzite, WZ）和閃鋅礦（Zinc blende, ZB）。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c 軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。
電信
GAN=Generic access networks ，a telecommunication system that extends mobile voice, data and IP Multimedia Subsystem/Session Initiation Protocol (IMS/SIP) applications over IP networks.（GAN =通用訪問網路,一個電信系統擴展移動語音、數據和IP多媒體子系統/會話發起協定(IMS / SIP)應用程式通過IP網路。）
