BAR64-02V是一款由英飛凌（Infineon）生產的矽PIN二極體，採用SC-79（SOD-523）表面貼裝封裝。其主要電氣參數包括150V反向電壓、100mA正向電流及0.25W最大功耗，工作溫度範圍為-55℃至125℃。該器件具有高頻特性（1MHz至6GHz），典型電容值低至0.17pF（@0V），正向電阻為2.1Ω（@10mA），能夠實現低插入損耗和高隔離度。它通過了AEC-Q101認證，適用於射頻衰減器、天線開關及射頻控制電路等場合。此外，時科（SHIKUES）、長電科技（JCET）等廠商也提供同類產品。
基本介紹
- 中文名：BAR64-02V
- 外文名：BAR64-02V
- 二極體類型：單
- 封裝類型：SC-79
- 針腳數：2
基本參數,功能特徵,技術參數,封裝與引腳,套用領域,製造商與型號,
基本參數
二極體類型：單
封裝類型：SC-79
工作溫度範圍：-55°C to +125°C
總電容Ct最大值：0.23pF
電壓, Vr最高：150V
電流, If平均：100mA
表面安裝器件：表面安裝
針腳數：2
封裝形式：SC-79
套用範圍：高反壓
材料：矽(Si)
極性：PNP型
集電極最大：允許電流ICM15（A）
集電極最大：耗散功率PCM39（W）
截止頻率：fT30（MHz）
結構：合金擴散型
功能特徵
高電壓電流控制RF射頻衰減器和開關電阻
頻率範圍在1兆赫6兆赫
在非常低的電容零電位頻率超過在逆向偏見
低電阻
非常低的信號失真
技術參數
以下為BAR64-02V在典型測試條件（如無特殊說明，Ta=25℃）下的詳細電氣特性參數。
極限參數包括反向電壓150V、正向電流100mA、功耗150 mW（部分規格為250 mW）以及結溫和存儲溫度範圍-55℃至150℃，熱阻為85 ℃/W（部分規格為≤140 K/W）。
電氣特性方面，在正向電流50mA時正向壓降為1.1V，在反向電壓150V時反向電流為10μA；電容特性上，零偏壓時電容為0.4pF（測試頻率1MHz），1V偏壓時為0.55pF，5V偏壓時為0.35pF。
正向電阻在測試頻率100MHz下，0.5mA正向電流時為9Ω，1mA時為6.5Ω，10mA時為2.5Ω；其他關鍵參數包括標稱二極體電容0.23pF、最大二極體電容0.35pF以及最大二極體正向電阻1.35Ω（部分規格為20Ω@1mA）。
封裝與引腳
該器件採用表面貼裝技術（SMD/SMT），封裝形式為SC-79（也稱為SOD-523），符合JESD-30標準，代碼為R-PDSO-F2。它為2引腳（Pin）封裝，其中引腳1定義為陰極（Cathode），引腳2定義為陽極（Anode）。器件頂部標記有字母“O”。工廠常見的包裝數量包括卷帶包裝的3000和8000等規格。
套用領域
BAR64-02V適用於射頻衰減器和開關領域，作為高電壓電流控制的射頻電阻用於射頻衰減器和開關。其工作頻帶覆蓋中頻至C波段。
製造商與型號
BAR64-02V是一個在電子元器件市場中流通的通用型號。其原始設計製造商為英飛凌（Infineon Technologies AG），但該型號在英飛凌產品線中已標註為“已停產”（Discontinued）。不過，市場上仍有大量庫存流通。
目前仍在生產或銷售標稱為“BAR64-02V”產品的其他廠商包括時科（SHIKUES）、長晶/長電（JIANGSU CHANGJING/JCET）以及Secos Corporation。此外，市場流通的品牌還包括GC、RM TECHNOLOGY/瑞美科、KEFAN/科範微、LIGO SEMICONDUCTOR等。
完整的型號可能包含代表包裝、環保標準或訂單代碼的後綴，常見的變體包括BAR64-02V-H6327、BAR64-02V-E6327、BAR64-02V-E6433、BAR-64-02V-E6127、BAR-64-02V-H6327以及BAR6402VH6327XTSA1。這些變體通常指代同一核心器件，後綴差異可能對應不同的包裝形式、環保認證或微小的規格公差，購買時需核對完整型號。
