2SC3585矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。
基本介紹
- 中文名：2SC3585
- 結構：擴散型
- 材料：矽(Si)
- 封裝材料：塑膠封裝
簡介,分檔,
簡介
2SC3585具有高功率增益、低噪聲特 性、大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片原產於PHILIPS，現在國內也有公司生產。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻微波三極體，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能 指標同NEC、philips同類產品相同。
類別：NPN-矽通用高頻低噪聲寬頻NPN電晶體
集電極-發射極電壓VCEO：10V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:2V
集電極直流電流IC:50mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
電性能參數（TA=25℃）
擊穿電壓:V(BR)CEO=10V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2V
直流放大係數hFE: 60～250@VCE=6V,IC=20mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特徵頻率fT:9.0GHz@ VCE=6V,IC=20mA
集電極允許電流IC：0.05（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）
功率增益GUM：9dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz
噪聲係數NF：1.3dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
分檔
CLASSIFICATION OF hFE | |||
Rank | R43 | R44 | R45 |
Range | 50～100 | 80～160 | 125～250 |
Marking | R43 | R44 | R45 |
