鳥嘴效應

LOCOS工藝中，由於氧在二氧化矽中的擴散是一個等向性過程，因此，氧也會通過氮化矽下面的襯墊二氧化矽層進行橫向擴散，在靠近刻蝕視窗的氮化矽層底下就會生長出二氧化矽。

基本介紹

• 中文名：鳥嘴效應
• 外文名：bird's beak
• 現象：氧化物生長抬高氮化物的邊緣
• 出現範圍：LOCOS工藝
• 實質：氧化作用

由於氧化層消耗的矽更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化物生長將抬高氮化物的邊緣。即為鳥嘴效應。

解決方法：這是LOCOS工藝中一種不好的現象，氧化物越厚，“鳥嘴效應”更顯著。通常會在氮化物和矽之間生長一層薄氧化層，稱之為墊氧,這樣可以有效的減小氮化物掩膜和矽之間的應力。另外採用（111）晶向的P溝工藝比採用（100）晶向的N溝工藝有更短的“鳥嘴”；若SiO2膜加厚，則可減小缺陷，但“鳥嘴”就增大。