《雷射超聲研究II》是依託南京大學，由張淑儀擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：雷射超聲研究II
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：張淑儀
- 依託單位：南京大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：19134012
- 研究期限：1992-01-01 至 1995-12-31
- 申請代碼：A2303
- 支持經費：17（萬元）
項目摘要
本項目是利用掃描隧道顯微鏡（STM）從事物朵全射質表面結構的研究，特別是對半導體表面。研究內察疊容主要包括在原有超高真空系統上建立STM裝置，並利用超高真空和大氣環境下工作的STM對講嚷巴半導體表面結構進行研究。到目前為止，已在大氣環境中對矽分子束外延生長的GeSi超晶格材料等樣品表面進行了形貌觀測，研究了表面氧化對STM隧鞏乘察道成像過程的影響，探討了在大氣中獲得半導體表面結構真實信息的可能性。應棕厚地愚用STM還研究了Si襯底上三元固相反循慨獄阿講紋乎應生成的CoSi2薄膜的表面結構，開展了與納米結構相應的隧道效應等方面的初步性工作。其中的一些研究成果已經以論文的形式發展。由於經費等原因，UHVSTM暫緩建立。但大氣中半導體表面結構的STM研究還將繼續進行。
