陷阱能級，固體中能俘獲及存儲非平衡載流子的一種點陣不完整性。起陷阱作用的點陣不完整性包括晶體缺陷及化學雜質，它們通常在帶隙中形成局域化的陷阱能級。被俘獲的電子（空穴）會在陷阱位置停留一定時間直至熱激發或受紅外輻照而被重新釋放到導帶中。為固體帶隙中的一種亞穩能級。
基本介紹
- 中文名：陷阱能級
- 定義：固體中能俘獲及存儲非平衡載流子的一種點陣不完整性
陷阱能級，固體中能俘獲及存儲非平衡載流子的一種點陣不完整性。起陷阱作用的點陣不完整性包括晶體缺陷及化學雜質，它們通常在帶隙中形成局域化的陷阱能級。被俘獲的電子（空穴）會在陷阱位置停留一定時間直至熱激發或受紅外輻照而被重新釋放到導帶中。為固體帶隙中的一種亞穩能級。
空間電荷是影響聚合物固體介質的套用以及特異功能開發的重要參數,同時它與介質內部的陷阱能級密度分布密切相關,從空間電荷分布可以分析介質的電場分布,而從陷阱能級分布可以分析空間電荷的形成機制。目前空間電荷和陷阱能級密度都是獨立測量的,...
基本完成研究目標，具體研究成果包括： 獲取隧穿層陷阱、慢界面態、快界面態等多種類型缺陷在不同條件下的空間和能級分布 針對面向三維集成的快閃記憶體晶片非對稱結構，我們提出來一種新的近界面陷阱分布計算方法，具有更好的準確性和一致性。
《解密陷阱題高中物理》是2004年9月東方出版社出版的圖書，作者是郭剛。內容介紹 《解密陷阱題:高中物理》：陷阱題是命題人設定的用於拉開考生得分檔次的一類常用題型。這類題型一般通過迷惑性的信息或增調無關條件，利用考生的定勢思維，...
由於淺陷阱電荷的主導作用，多次反覆充放電情況下的電流行為特徵沒有明顯變化。3）極化薄膜介質的電荷陷阱能級信息，半定量分析薄膜陷阱能級信息。利用瞬態放電電流特徵，發現結晶度稍低的聚丙烯薄膜周期時間長度減小更快，具有更多的淺電荷陷阱...
它由晶體基質所決定的價帶和導帶、製備發光體摻入的激活劑離子所產生的局部能級G（一般為基態能級）以及晶體結構缺陷或加入的協同激活劑而產生的局部能級T（一般為電子陷阱能級）等幾部分組成。其發光的微觀過程包括：（1）吸收激發能電離...
探討基質組成和晶體結構、激活離子和敏化離子種類等磷光體的發光強度、發射波長（顏色）、陷阱能級深度（餘輝）等的影響，找出規律性。為開發新型有實用價值的長餘輝二級產品提供基礎數據和技術支持。
禁帶中雖然不存在屬於整個晶體所有的公有化電子的能級，但是可以出現雜質、缺陷等非公有化狀態的能級——束縛能級。例如施主能級、受主能級、複合中心能級、陷阱中心能級、激子能級等。順便也說一句，這些束縛能級不只是可以出現在禁帶中，...
（1）陷阱中心：這是一種深能級的雜質或缺陷。陷阱中心的特點就是俘獲一種載流子的作用特彆強，而俘獲另一種載流子的作用特別弱，則陷阱中心具有存儲一種載流子的作用。例如電子陷阱就起著存儲電子的作用，空穴陷阱就起著存儲空穴的作用。
長餘輝發光材料屬於電子俘獲材料，其發光現象是由材料中的陷阱能級所致。由於能級結構的複雜性以及受測試分析手段所限，長餘輝材料的發光機理還沒有十分清晰、統一的理論模型。比較典型的理論模型有空穴模型、電子陷阱模型和位型坐標模型等...
禁帶中雖然不存在屬於整個晶體所有的公有化電子的能級，但是可以出現雜質、缺陷等非公有化狀態的能級——束縛能級。例如施主能級、受主能級、複合中心能級、陷阱中心能級、激子能級等。順便也說一句，這些束縛能級不只是可以出現在禁帶中，...
光激發瞬態電流譜 光激發瞬態電流譜是指在低溫下，用脈衝光照射樣品，使光生載流子填滿深能級陷阱，然後隨溫逐漸升高，檢測樣品上兩平行電極之間的瞬態電流變化，確定高阻半導體材料中深能級的能級位置及發射速率等的電學測量技術。
不同的缺陷態可能形成淺能級陷阱、深能級陷阱、輻射複合中心、非輻射複合中心等。因為Si C輻射複合的時間極短（皮秒至納秒量級），且光致發光效率較低，所以輻射複合是引起光生載流子衰減的主要原因。光生載流子在陷阱中的行為是可逆的，...
熱激電流譜 定 義低溫下利用光照射產生的電子-空穴對將深能級陷阱填滿，然後從不同升溫速率下結電流隨溫度變化的特性，探測半導體中深能級缺陷能級及其濃度的電學測量技術。
彌散輸運 彌散輸運是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 非晶態半導體中，載流子在漂移時不斷地被陷、被釋放，由於起陷阱作用的定域態能級的無規則分布造成輸運的彌散比晶態半導體嚴重的多。出處 《材料科學技術名詞》。
餘輝強度 餘輝強度，當激發停止後，發光延續一段時間時的發光強度。取決於能級陷阱中電子在單位時間內返回激發態能級的速率。