錯合位錯（misfit dislocation）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：錯合位錯
- 外文名：misfit dislocation
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
錯合位錯
相關詞條
- 錯合位錯
錯合位錯（misfit dislocation）是2019年公布的物理學名詞。公布時間2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
- 位錯(晶體材料的一種內部微觀缺陷)
位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。“位錯”這一概念最早由義大利數學家和物理...
- 位錯反應
位錯反應，由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程。位錯具有高能量而不穩定，除了與其他位錯（以及點缺陷）之間發生互動作用外，還常有自發反應，結果降低了體系的自由能。自發的位錯反應必須滿足兩個條件：一是幾何條件，即反應前後位錯在三維方向的分矢量之和必須相等；二是能量條件，即...
- 滑移位錯
螺型位錯的Burgers矢量與位錯線平行，因此任何包含螺位錯的平面都可作為滑移面。位錯滑移的結果使晶體產生了永久形變。由於位錯的滑移不引起晶體體積的變化，所以它是一種保守運動。對於閉合的位錯環有兩種特殊的情形，即滑移位錯環和稜柱位錯環。前者的Burgers矢量位於環面內，故環面即為滑移面，後者的Burgers矢量垂直於...
- 擴展位錯
既然第一步滑移造成了層錯，那么層錯區和正常區之間必然會形成兩個不全位錯。故b₁和b₂是兩個肖克萊不全位錯。由於這兩個不全位錯位於同一滑移面上，彼此同號且柏氏矢量的夾角θ為60°（特點 擴展位錯有時在某些地點由於某種原因會發生局部的收縮，合併為原來的非擴展狀態，這種過程稱為擴展位錯的束集。擴展...
- 單位位錯
單位位錯，也稱特徵位錯，就是指它的柏氏矢量等於晶體中最短的點陣矢量的位錯。實際晶體結構中的位錯分類 在簡單立方點陣中的位錯，它的柏氏矢量b總是等於點陣矢量。點陣矢量是點陣中連線任意兩點的矢量。在實際晶體結構中，位錯的柏氏矢量除了等於點陣矢量外，還可能小於或大於點陣矢量。所以位錯根據柏氏矢量的不同可以...
- 晶體位錯
在Si、Ge中最簡單的位錯是60o棱位錯。因為Si、Ge晶體的最容易的滑移面是(111)面，最容易的滑移方向是方向，故Si、Ge晶體中的位錯是在(111)面內、位錯線的方向是方向，該位錯線與相鄰的滑移方向互相構成60夾角（即是兩個相鄰的方向），故有60o棱位錯之稱。相關影響 ①位錯可起一定的施主和受主作用 Si、Ge...
- 超位錯
位錯網路中反相疇界能與超位錯分解 由螺型超位錯組成的位錯網路中，螺型超位錯的分解寬度明顯大於單獨螺型超位錯的分解寬度。各向同性線性彈性理論計算表明，這一現象是由於位錯網路中，部分反相疇界相互抵消所致。隨著反相疇界能的減小，這一效應將變得更加顯著。超位錯反應 以中溫蠕變形變後的Ni₃Al為試樣，用...
- 可動位錯
但並非所有的不全位錯與層錯構成的體系均與位錯之擴展有關，例如弗蘭克位錯環及其所圍繞的層錯片就不是可動位錯過程所生成的。多層膜中交變應力場對可動位錯的制約 如果位錯在膜層內運動的臨界應力值小於交變應力場的約束,位錯會被限制在單層膜內運動, 多層膜被強化; 反之,則位錯很容易通過界面到達臨近的膜層, ...
- 位錯強化
影響位錯強化的主要因素有：1、位錯交滑移（或高溫下攀移）的能力。其中：（1）層錯能低的金屬：位錯不易交滑移和攀移，滑移面上出現列陣位錯和位錯塞積群，加工硬化率高；（2）層錯能高的金屬：螺位錯難於分解，出現交滑移，滑移迅速發展，傾向於構成亞晶（胞狀亞結構），使加工硬化率明顯降低。透射電鏡下看不...
- 壓桿位錯
如果兩個相交滑移面上的位錯都是擴展位錯，則兩位錯相遇就可能形成另一種不同的位錯組態，即壓桿位錯。兩個相交滑移面上的每個位錯中的一個不全位錯達到交截線BC時，合併並位於BC上。即 αC+Cδ→αδ a/6[-121]+a/6[2-1-1]→a/6[110]。見圖（c），新位錯為BC，b為a[110]/6，滑移面為(001)，...
- 60度棱位錯
半導體Si、Ge晶體中最簡單的一種位錯就是60度棱位錯。因為在(111)晶面內，位錯線的方向是方向，該方向與晶面滑移方向互相構成60度的夾角，故有60度棱位錯之稱。60度棱位錯對半導體性能的影響：①該位錯線上存在有一串懸掛鍵, 可以接受電子而成為一串負電中心, 起受主作用，也可以失去電子而成為一串正電中心, 起...
- 螺型位錯
當晶體中存在螺型位錯時，原來的一族平行晶面就變成為以位錯線為軸的螺型面。如果繞螺型位錯環行，就會像走坡度很小無台階的樓梯一樣，從一層晶面走到另一層晶面。螺型位錯的名稱就是由此而來的。簡介 螺型位錯的晶體結構如圖1所示。設立方晶體右側受到切應力τ的作用，其右側上下兩部分晶體沿滑移面ABCD發生了錯...
- 不全位錯
。若堆垛層錯在位錯線之左，則柏氏矢量方向向上，即b= 。在如圖7所示完整晶體中，柏氏迴路自1走到6後，並不是把6與1直接連線起來，因為在有位錯的晶體中，6至1的連線與1至2的連線對稱於通過1的水平線，所以在參考晶體中也要使6至7的連線和1至2的連線成為對稱，於是最終代表柏氏矢量的從7至1的閉合線段...
- 晶體位錯環
晶體中的位錯環（Dislocation ring） 是晶體中的一種環形刃位錯線。一般的刃位錯是一種貫穿整個晶體的一種線狀晶體缺陷，而位錯環是構成環狀的一種晶體缺陷。位錯環的形成機理：在溫度較高時,晶體中有較多的空位(熱缺陷),當許多空位結合在一起時即成為一個較大的空隙；當空隙一塌陷,就在晶體中產生出環形的刃...
- 晶體中的位錯(重排本)
本書成書背景如下：位錯理論在本世紀30年代發源於英國，成熟於40年代末，得到國際學術界廣泛的重視。而我國由於受蘇聯學術界的影響，位錯理論一時無法推廣。直至1959年，錢臨照才開始在物理研究所內寫講義，講授和討論這個國際公認的學說。隨後，舉行了兩次全國性的晶體缺陷和金屬強度的討論會。錢臨照和楊順華合寫了10...
- 位錯線張力
位錯線張力是指位錯線長度增加一個單位時所作的功位錯能量與其長度成正比，所以它有儘量縮短其長度的趨勢，與液體的表面張力相似,這種趨勢可以用位錯線張力T來描述。簡介 位錯應變能與位錯線長度成正比。為降低能量，位錯線具有儘量縮短其長度的傾向，從而使位錯產生線張力。其作用是使位錯變直，降低位錯能量，相當於...
- 位錯(1980年科學出版社出版的圖書)
《位錯》是1980年科學出版社出版的圖書，作者是J.弗里埃德爾。內容簡介 本書是系統地闡述位錯理論的專著。全書共分三部分：第一部分描述位錯的一般性質，包括位錯的實驗觀測、單個位錯的幾何結構、彈性理論、運動方式及其在晶體生長中的作用。第二部分論述在晶體中可能形成的比較複雜的位錯網路及相應於這種排列的范性...
- 位錯型減振合金
位錯型減振合金 位錯型減振合金是指晶體中可滑動位錯在振動應力的作用下與雜質原子相互作用，脫離了雜質原子的釘扎，引起內耗來衰減振動的合金。典型合金為Mg-Zr合金。
- 裂紋自癒合的位錯層次和原子層次研究
《裂紋自癒合的位錯層次和原子層次研究》是依託北京科技大學，由高克瑋擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在ＴＥＭ下從位錯層次上原位觀察位錯發射、增殖和運動對裂紋自癒合的影響；利用分子動力學模擬和計算的方法從原子層次研究裂紋自癒合的可能性、影響因素及控制參量；通過對韌性材料和脆性材料裂紋自癒合過程的觀察...
- 面角位錯
面角位錯 在fcc晶體中形成兩個{111}面的夾角上，由三個不完全位錯和兩個層錯構成的不能運動的位錯組態。
- 材料科學基礎(2006年中南大學出版社出版的圖書)
2.7 位錯與晶體缺陷的互動作用 2.7.1 位錯與點缺陷之間的互動作用 2.7.2 位錯之間的互動作用 2.7.3 位錯的塞積 2.8 位錯的萌生與增殖 2.8.1 晶體中位錯的萌生 2.8.2 晶體中位錯的增殖 2.9 實際晶體中的位錯組態 2.9.1 fcc，bcc，hcp晶體中單位位錯的柏氏矢量 2.9.2 層錯 2.9.3 不全位錯...
- 分為錯
分為錯 分為錯是指不全位錯中根據柏氏矢量與點陣矢量的大小關係將位錯的柏氏矢量小於單位位錯的位錯。一般來說，晶體中的位錯分為全位錯（單位位錯）和不全位錯。
- 相錯
相錯 相錯是晶體中的一種缺陷。晶體中的一種缺陷。與位錯相似，也是在材料進行塑性變形中可能出現的缺陷。相錯可以理解為這樣形成的：將晶體切開一半後，將一側晶體扭轉一定角度後通過填充或挖去部分晶體後再與原來一半粘合。由於要保持晶格連續，相錯必須與位錯共同存在。
- 層錯能
位錯滑移會引起晶體的剪下變形，它是金屬塑性變形的主要機制。位錯造成晶體內原子的錯排，進而引起它附近晶體點陣結構的彈性畸變，因此位錯也是內應力源。只有當金屬的層錯能很低時，完整位錯的分解才會明顯出現。當滿足一定條件時，完整位錯可以分解成若干部分位錯，但是必須滿足分解之前的能量大於分解後各部分的能量總和，...
- 層錯
層錯能 位錯滑移會引起晶體的剪下變形，它是金屬塑性變形的主要機制。位錯造成晶體內原子的錯排，進而引起它附近晶體點陣結構的彈性畸變，因此位錯也是內應力源。只有當金屬的層錯能很低時，完整位錯的分解才會明顯出現。當滿足一定條件時，完整位錯可以分解成若干部分位錯，但是必須滿足分解之前的能量大於分解後各部分的...
- 金屬塑性變形多尺度模擬
第1章 金屬中的位錯、層錯與孿晶 1 1.1 理想金屬晶體結構理論基礎 1 .1.1 金屬晶體的正空間及原胞 1 1.1.2 三種常用金屬晶體的基本結構 23 1.2 位錯 26 1.2.1 位錯的基本概念 26 1.2.2 位錯的幾何描述 27 1.2.3 刃型位錯 30 1.2.4 螺型位錯 31 1.2.5 混合位錯 32 1...
- 晶體缺陷的直接觀察
晶體缺陷的直接觀察，晶體中存在多種具有明確特徵的缺陷，如位錯、堆垛層錯、疇界、空位和填隙原子等（見晶體缺陷、位錯、面缺陷、點缺陷）。早期提出晶體具有缺陷的假設是為了解釋某些結構敏感性能（屈服強度、擴散、X射線的衍射強度等）。直到50年代後方始發展了多種直接觀察位錯及其他缺陷的實驗技術，使晶體缺陷研究...
- 晶體(有明確衍射圖案的固體)
位錯直觀定義：晶體中已滑移面與未滑移面的邊界線。這種線缺陷又稱位錯，注意：位錯不是一條幾何線，而是一個有一定寬度的管道，位錯區域質點排列嚴重畸變，有時造成晶體面網發生錯動。對晶體強度有很大影響。位錯主要有兩種：刃型位錯和螺型位錯。刃型位錯 其形式可以構想為：在一完整晶體，沿BCEF晶面橫切一刀，...
