簡介
進入無鉛時代，人類的環境得以改善，但是電子組件的可靠性受到挑戰，製程溫度的提高和無鉛替代材料的晶體結構為錫須的成長提供了有利的條件。錫須的危害在於可能連線到其它線路上，並導致電氣短路，斷裂後落在某些移動及光學器件中引起這些器件的機械損害，處於相鄰導體之間可能產生弧光放電，燒壞電氣組件等。由於錫須通常在電鍍之後幾年甚至幾十年才開始生長，因而會對產品的可靠性造成潛在的危害比較大。
進入無鉛時代，人類的環境得以改善，但是電子組件的可靠性受到挑戰，製程溫度的提高和無鉛替代材料的晶體結構為錫須的成長提供了有利的條件。錫須的危害在於可能連線到其它線路上，並導致電氣短路，斷裂後落在某些移動及光學器件中引起這些器件的機械損害，處於相鄰導體之間可能產生弧光放電，燒壞電氣組件等。由於錫須通常在電鍍之後幾年甚至幾十年才開始生長，因而會對產品的可靠性造成潛在的危害比較大。
檢測設備：
►回流焊爐；
►交變濕熱箱；
►冷熱衝擊試驗箱；
►高溫高濕箱；
►SEM/EDS；
►光學顯微鏡。
參考標準：《JEDEC/JESD22A121-2005 錫及錫合金表面錫》
