金屬氧化物半導體積體電路jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù 簡稱“mos積體電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成...
金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...
橫向擴散金屬氧化物半導體(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,縮寫:LDMOS)經常被用於微波/射頻電路,製造於高濃度摻雜矽基底的外延層上。LDMOS常被用於...
半導體積體電路(英文名:semiconductor integrated circuit),是指在一個半導體襯底上...它通過真空蒸發和濺射等薄膜工藝和光刻技術,用金屬、合金和氧化物等材料在微晶...
PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了積體電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門...
互補金屬氧化物就是互補金屬氧化物半導體,是一種大規模套用於積體電路晶片製造的原料。...
BiCMOS,是一種新型的半導體器件技術,它將以前兩種獨立的半導體器件類型——雙極性電晶體(Bipolar junction transistor)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS),集成到單一集成...
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。...
積體電路設計最常使用的襯底材料是矽。設計人員會使用技術手段將矽襯底上各個器件之間相互電隔離,以控制整個晶片上各個器件之間的導電性能。PN結、金屬氧化物半導體場...
金屬氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效應電晶體是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效應電晶體。...
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極電晶體(igbt)以及功率積體電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件...
金屬-絕緣體-半導體系統(簡寫為 MIS)系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層採用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)系統。矽片上生長一層薄氧化膜後再覆蓋...
在數字電路設計領域,由於數字積體電路的集成度不斷提高,因此使用金屬半導體場效應...效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管類似,只不過在金屬-氧化物-半導體場效應管...
②MOS場效應管(用金屬-氧化物-半導體構成柵極,見金屬-絕緣體-半導體系統);③...尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管...
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路...
Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等...(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等製備...化合物半導體積體電路的主要特徵是超高速、低功耗、...
薄膜積體電路工藝整個電路的電晶體、二極體、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣...
薄膜積體電路是將整個電路的電晶體、二極體、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、...
·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和積體電路的電子...Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻...金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於製備量子...
而且由此而產生的各種半導體器件、積體電路和半導體...金屬半導體接觸、表面及MIS結構等半導體表面和界面問題...半導體系統簡稱MIS(如果絕緣層採用氧化物,則稱MOS)...
因此動態隨機存儲器需要每隔2~4毫秒對單元電路存儲的信息重寫一次,這稱為刷新。這種存儲器的特點是單元器件數量少,集成度高,套用最為廣泛(見金屬-氧化物-半導體...
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補金屬氧化物半導體)的縮寫。它是指製造大規模積體電路晶片用的一種技術或用這種技術製造出來的晶片,是電腦主機板上的...
MOSIC,以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。...... MOSIC,以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路。...
HMOS描述了積體電路中MOS管的結構,即:在一定結構的半導體器件上,加上二氧化矽和金屬,形成柵極。...
系統)感測器, MPEG 解碼器和智慧卡晶片,汽車積體電路、計算機外設和無線半導體。...’ 擁有豐富的晶片製造工藝,包括先進的 CMOS 邏輯(互補金屬氧化物半導體)、混合...
02專項[1] ,即:《極大規模積體電路製造技術及成套工藝》項目,因次序排在國家...開發32-22納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝、90-65納米特色工藝,開展22-14...