郝躍，微電子技術專家，2013年當選中國科學院院士，九三學社第十四屆中央委員會常委。1958年3月生於重慶市，1982年畢業於西安電子科技大學半導體物理與器件專業，1985年在西安電子科技大學獲碩士學位，1991年在西安交通大學計算數學專業獲博士學位。擔任“核心電子器件、高端通用晶片和基礎軟體產品”國家科技重大專項實施專家組組長，國家自然科學基金委員會信息科學部主任，國務院第七屆和八屆學科評議組電子科學與技術一級學科召集人，高等院校電子信息類專業教學指導委員會主任委員。是第九、第十、第十三屆全國政協委員和第十一屆全國人大代表。郝躍長期從事新型寬禁帶半導體器件和材料、新型微納米半導體器件與材料等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵和碳化矽第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波毫米波器件、半導體短波長光電材料與器件、微納米CMOS器件新結構、新器件和可靠性失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。獲得國家技術發明獎二等獎1項（2009年），國家科技進步獎二等獎2項（2008年、2015年），國家科技進步獎三等獎1項（1998年），國家級教學成果一等獎1項（2018年）和國家級教學成果二等獎1項（2014年）。2010年獲得何梁何利科學與技術獎，2019年獲陝西省最高科學技術獎。出版《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》（中、英文）、《碳化矽寬頻隙半導體技術》等多部著作和教材。擔任《電子學報》和《光子學報》主編，《西安電子科技大學學報》編委會主任，《Fundamental Research》副主編。2025年12月，作為西安電子科技大學電子科學與技術學部主任，出席學校學部制改革會議暨新學部成立儀式，並為信息交叉學部、網路安全與密碼學部、語言智慧型學部揭牌。郝躍團隊在晶片散熱領域取得進展，通過在第三代半導體晶片晶體上注入高能離子，使晶體成核層表面平整光滑，將熱阻降低至原來的三分之一，基於該技術製備的氮化鎵微波功率器件性能有所提升，相關成果發表於《自然·通訊》和《科學·進展》。
1958年3月生於重慶市，分別於1982年和1985年在西安電子科技大學獲半導體物理與器件本科和碩士，1991年西安交通大學獲計算數學博士學位。九三學社第十四屆中央委員會常委和九三學社陝西省委主委、中國電子學會副理事長。他是”核心電子器件、高端通用晶片和基礎軟體產品”國家科技重大專項實施專家組組長、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、國務院第七屆和八屆學科評議組電子科學與技術一級學科召集人、高等院校電子信息類專業教學指導委員會主任委員、國家重大基礎研究計畫（973計畫）項目首席科學家、陝西省科學技術協會副主席。他是第九、第十、第十三屆全國政協委員和第十一屆全國人大代表。2013年當選中國科學院院士。2025年12月31日，作為西安電子科技大學電子科學與技術學部主任，出席學校學部制改革會議暨新學部成立儀式，並為信息交叉學部、網路安全與密碼學部、語言智慧型學部揭牌。2026年1月13日，郝躍院士團隊在晶片散熱研究中取得進展，相關成果發表在國際期刊《自然·通訊》和《科學·進展》上。
在氮化鎵∕碳化矽第三代（寬禁帶）半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。郝躍獲得國家技術發明獎二等1項（2009年），國家科技進步獎二等2項（2008年、2015年），國家科技進步獎三等1項（1998年）；國家級教學成果一等獎1項（2018年）和國家級教學成果二等獎1項（2014年）；出版《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》（中、英文）、《碳化矽寬頻隙半導體技術》、《積體電路製造動力學理論與方法》、《微納米CMOS器件可靠性與失效機理》和《微電子概論》等多部著作和教材；他2010年獲得何梁何利科學與技術獎，2019年獲陝西省最高科學技術獎。
2026年，郝躍團隊在第三代半導體晶片散熱關鍵技術方面取得突破，創新性地通過注入高能離子使氮化鎵晶片晶體成核層表面平整光滑，將熱阻降低至原來的三分之一，相關成果發表於《自然·通訊》與《科學·進展》。基於該技術製備的氮化鎵微波功率器件性能提升了30%-40%，在探測與通信領域具有重要套用前景，並有望改善未來移動設備的信號與續航。
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體器件和材料、新型微納米半導體器件與材料等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵和碳化矽第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波毫米波器件、半導體短波長光電材料與器件、微納米CMOS器件新結構、新器件和可靠性失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。他是《電子學報》和《光子學報》主編，《西安電子科技大學學報》編委會主任，《Fundamental Research》副主編。
