遷移率隙（Mobility gap）：
這是非晶態半導體的一個重要特徵參量。非晶態半導體與晶態半導體具有類似的晶體結合方式，則其能帶結構類似，即都有導帶、價帶和帶隙；與晶態半導體帶隙[禁頻寬度]相對應的就是非晶態半導體的所謂遷移率隙。對於非晶態半導體，在每一個能帶的中間區域的電子狀態為擴展態，在帶尾區中的電子狀態為定域態，其分界能量稱為遷移率邊；在外電場作用下，定域態中的電子要從一個定域態轉移(跳躍式)到另一個定域態而導電, 由於需要有聲子的幫助，則這種跳躍式導電的遷移率很低，而擴展態電子的運動恰恰相反，所以在定域態與擴展態的分界處必然存在有一個遷移率的突變，故有遷移率邊之稱。實際上，非晶態半導體的遷移率隙也就是相應導帶和價帶的遷移率邊的能量差。對於非晶矽，遷移率隙約為1.5~1.8eV。
