去耦電容(退耦電容)

去耦電容

退耦電容一般指本詞條

去耦電容是電路中裝設在元件的電源端的電容,此電容可以提供較穩定的電源,同時也可以降低元件耦合到電源端的噪聲,間接可以減少其他元件受此元件噪聲的影響。

基本介紹

  • 中文名:去耦電容
  • 外文名:Decoupling capacitor
  • 主要功能:提供較穩定的電源
  • 單位: farad
簡介,相關作用,蓄能作用,有源器件,

簡介

在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。對於同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容,是把輸出信號的干擾作為濾除對象。去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方,用來消除自激,使放大器穩定工作。
在共享導體的電路中,共享電源的時候,當一個器件需要對外提供輸出的時候就會同時拉低該導體的電壓,產生噪聲耦合到共享的電路中。在有噪聲的環境中,這些電磁波會在導體內感應出電壓信號,影響迴路中的元件。在數位電路中,器件容易在臨界位置由於干擾而產生錯誤的信號,從而產生錯誤的動作。去耦電容可以減少以上情形的發生。
去耦電容一般都安置在元件附近的電源處,以減少布線阻抗對濾波效果的影響。去耦電容多使用瓷片電容,其數值由電壓信號最快上升和下降速度確定。
去耦電容就是起到一個電池的作用,滿足驅動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。
去耦和旁路都可以看作濾波。去耦電容相當於電池,避免由於電流的突變而使電壓下降,相當於濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大,對更高頻率的噪聲,基本無效。旁路電容就是針對高頻來的,也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成一個RLC串聯模型。在某個頻率,會發生諧振,此時電容的阻抗就等於其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖,就會發現一般都是一個V形的曲線。具體曲線與電容的介質有關,所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質,一個比較保險的方法就是多並幾個電容。

相關作用

蓄能作用

去耦電容主要是去除高頻如RF信號的干擾,干擾的進入方式是通過電磁輻射。
而實際上,晶片附近的電容還有蓄能的作用,這是第二位的。你可以把總電源看作密雲水庫,我們大樓內的家家戶戶都需要供水,這時候,水不是直接來自於水庫,那樣距離太遠了,等水過來,我們已經渴的不行了。實際水是來自於大樓頂上的水塔,水塔其實是一個緩衝器的作用。如果微觀來看,高頻器件在工作的時候,其電流是不連續的,而且頻率很高,而器件VCC到總電源有一段距離,即便距離不長,在頻率很高的情況下,阻抗Z=i*wL+R,線路的電感影響也會非常大,會導致器件在需要電流的時候,不能被及時供給。而去耦電容可以彌補此不足。這也是為什麼很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一。

有源器件

有源器件在開關時產生的高頻開關噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直流電源給有源器件,以減少開關噪聲在板上的傳播和將噪聲引導到地。
旁路電容在積體電路電源和地之間有兩個作用:一方面是本積體電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5nH。0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感,它的並行共振頻率大約在7MHz左右,計算方法為
也就是說,對於10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果,對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容,並行共振頻率在2MHz以上,去除低頻噪聲的效果要好一些。每10片左右積體電路要加一片充放電電容,或1個蓄能電容,可選10μF左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜捲起來的,這種捲起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格,其電容值可按C=1/F來計算,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。

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