趙建華，女，博士生導師，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員。
基本介紹
- 中文名：趙建華
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 職業：研究員；博士生導師
- 畢業院校：中國科學院物理研究所
簡介,在研/完成主要項目,代表性論文目錄,
簡介
1985年、1988年在吉林大學物理系固體物理專業獲理學學士、碩士學位，於1999年在中科院物理所凝聚態物理專業獲理學博士學位。1988至1996年於燕山大學任講師、副教授。2000年在中科院半導體所博士後出站後進入日本東北大學電氣通信研究所Hideo Ohno教授實驗室做博士後，2002年9月至今在中科院半導體所半導體超晶格國家重點實驗室工作，任研究員。
2000年以來主要從事半導體自旋電子學研究工作，具體進行磁性半導體、半金屬、鐵磁金屬及其異質結構的分子束外延生長；半導體磁性量子結構自旋調控；半導體自旋電子器件設計及其物理原理研究。帶領其研究團隊取得了多項重要的前沿性成果，部分成果進入國際先進行列。例如，製備出高質量的(Ga,Mn)As 磁性半導體薄膜，兩次刷新其居里溫度的國際紀錄，2011年達到200K，迄今仍居國際領先位置；利用Co2FeAl與(Ga,Mn)As雙層膜界面處的磁近鄰效應將界面處(Ga,Mn)As層中厚度約1.6 nm薄層中的Mn離子的鐵磁有序保持到400K；在GaAs上製備出了高質量具有超大垂直磁各向異性L10相Mn1.5Ga單晶薄膜，該類不含貴金屬和稀土的薄膜在製備高熱穩定性、抗電磁干擾的半導體自旋電子器件方面具有較大潛力；國際上率先利用Ga液滴自催化方法Si上生長出全閃鋅礦結構GaAs/(Ga,Mn)As核-殼同軸納米線等。
2004年以來在半導體自旋電子學方面的國際會議上做邀請報告25次，與美國、德國、法國和日本等國家的多個半導體自旋電子學領域著名實驗室保持著密切合作的關係。迄今以第一作者、通訊作者和合作者身份在國內外著名刊物上發表論文120 篇。其中PRL 1 篇，Nano Lett. 3 篇，Adv. Mater. 1 篇，APL 17 篇，PRB 3篇，邀請綜述 4 篇，邀請專著 1 章。SCI 引用600餘次，單篇引用最高163次。申請專利7 項，授權專利4 項。曾獲2000年國家技術發明二等獎等多項省部級獎勵。培養的研究生曾獲國家獎學金、中科院院長獎學金優秀獎、美國超導獎學金、北京市優秀畢業生、中科院三好學生標兵等獎項。
現任中國物理學會磁學專業委員會委員，英國皇家物理學會出版社主辦的國際期刊《Semiconductor Science and Technology》編委，APL、JAP、CPL和中國科學等國內外核心期刊審稿人。曾任固態器件與材料國際會議（SSDM2010-2012）自旋分會副主席（日本），2011 MMM （美國）、4th WUN（澳洲）、3rd WUN (美國)、37th 和40th ISCS (日本)、 ICMFS 2012（中國）等國際會議組委會委員。
主要研究方向為半導體自旋電子學，具體進行高品質磁性半導體、半金屬、鐵磁金屬及其異質結構的分子束外延生長和自旋相關物理性質研究；半導體磁性量子結構自旋調控；新一代高性能半導體自旋電子器件研發。
在研/完成主要項目
(1) 國家自然科學基金重點項目“新型半導體基垂直磁各向異性材料及器件” （2014-2018，主持）
(2) 國家自然科學基金專項基金項目“基於超導量子干涉儀的磁學和電學性質同步測量系統研製” （2012-2015，主持）
(3) 國家重大科學研究計畫量子調控項目課題“基於鐵磁體/半導體異質結構的自旋量子器件”（2013-2017，參加。）
(4) 國家自然科學基金重大國際(中美)合作研究項目 “半導體/鐵磁體異質納米結構的磁性質及依賴於自旋的電學性質” （2010-2012，主持）
(5) 國家自然科學基金重點項目 “高品質半導體自旋電子材料製備及其自旋量子調控”（2009-2012，主持）
(6) 國家重大科學研究計畫項目 "半導體量子結構中的自旋量子調控" 課題"高品質半導體磁性異質結構分子束外延生長和磁性研究"（2007-2011，主持）
(7) 中科院知識創新工程三期重要方向項目"半導體自旋量子結構中的器件物理效應" （2007-2010， 主持）
(8) 國家自然科學基金重點項目："磁性半導體、半金屬及其異質結構的生長製備和自旋相關現象的研究" （2004-2008，主持）
代表性論文目錄
(1) S. H. Nie, Y. Y. Chin,W. Q. Liu, J. C. Tung, J. Lu, H. J. Lin,G. Y. Guo*, K. K. Meng, L. Chen,L. J. Zhu,D. Pan,C. T. Chen,Y. B. Xu, W. S. Yan,and J. H. Zhao*, erromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga,Mn)As Bilayer, Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 027203
(2) X. Z. Yu, H. L. Wang, D. Pan, J. H. Zhao*, J. Misuraca, S. von Molnár, and P. Xiong, All zinc-blende GaAs/(Ga,Mn)As core-shell nanowires with ferromagnetic ordering,Nano Lett., 13 (2013) 1572
(3) L. J. Zhu, and J. H. Zhao*, Perpendicularly magnetized MnxGa films: promising material for future spintronic devices, magnetic recording and permanent magnets, Appl. Phys. A 111 (2013) 379 (invited review)
(4) L. J. Zhu , S. H. Nie , K. K. Meng , D. Pan , J. H. Zhao* and H. Z. Zheng, Multifunctional L10 -Mn1.5Ga Films with Ultrahigh Coercivity, Giant Perpendicular Magnetocrystalline Anisotropy and Large Magnetic Energy Product, Adv. Mater. 24 (2012) 4547
(5) X. Z. Yu, H. L. Wang, J. Lu, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Evidence for Structural Phase Transitions Induced by the Triple Phase Line Shift in Self-Catalyzed GaAs Nanowires, Nano Lett., 12 ( 2012) 5435
(6) L. Chen, X. Yang, F.H. Yang, J.H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Enhancing the Curie Temperature of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As to 200 K via Nanostructure Engineering, Nano Lett., 11 ( 2011) 2584
(7) K. K. Meng, S. L. Wang, P. F. Xu, L. Chen, W. S. Yan and J. H. Zhao*, Magnetic properties of full-Heusler alloy Co2Fe1-xMnxAl films grown by molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., 97 (2010) 232506
(8) K. K. Meng, J. Lu, S. L. Wang, H. J. Meng, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Magnetic anisotropies of laterally confined structures of epitaxial Fe films on GaAs (001), Appl. Phys. Lett, 97 (2010) 072503
(9) P. F. Xu, S. H. Nie, K. K. Meng, S. L. Wang, L. Chen, and J. H. Zhao*, Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn1−xCoxAs films epitaxied on GaAs (001), Appl. Phys. Lett., 97 (2010) 042502
(10) L. Chen, S. Yan, P. F. Xu, J. Lu, W. Z. Wang, J. J. Deng, X. Qian, Y. Ji, and J. H. Zhao*, Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature, Appl. Phys. Lett., 95 (2009) 182505
