譚平恆，男，1996年畢業於北京大學物理系，2001年在中科院半導體研究所獲得博士學位，之後在德國慕尼黑技術大學Walter Schotty研究所做博士後研究。國家傑出青年科學基金獲得者。1996年畢業於北京大學物理系，獲理學學士學位；2001年畢業中科院半導體研究所，獲理學博士學位；2001-2003年，德國慕尼黑技術大學Walter Schotty研究所博士後；2003-2008年，中科院半導體研究所副研究員；2006-2007年，英國劍橋大學工程系，英國皇家學會KC Wong Royal Society Fellow；2009年起，中科院半導體研究所研究員、博士生導師；2013年10月起，北京工業大學兼職博士生導師。
現任中國物理光散射專業委員會秘書長，中科院半導體所學位委員會委員，Proc Natl Acad Sci USA、J. Am. Chem. Soc.、Phys. Rev. Lett./Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett./J. Appl. Phys.、中國科學等國內外核心期刊審稿人。
基本介紹
- 中文名：譚平恆
- 國籍：中華人民共和國
- 民族：漢
- 畢業院校：北京大學物理系
- 主要成就：2002年獲得中科院院長獎學金特別獎
2003年獲得第五屆全國百篇優秀博士學位論文
2007年獲得第四屆徐敘瑢發光學優秀青年論文一等獎
2008年年獲得盧嘉錫青年人才獎 - 職稱：研究員
主要經歷,研究成果,主要獎項,代表論著,
主要經歷
2003年3月他回國到中國科學院半導體研究所工作。2006-2007年獲英國皇家學會KC Wong Royal Society Fellow資助訪問英國劍橋大學工程系一年,後又曾獲英方資助兩次訪問英國劍橋大學工程系。
研究成果
主要從事碳納米材料以及半導體低維材料等光電子材料的光學和電學性質研究。提出利用多波長雷射拉曼散射確定重摻雜石墨烯費米能級的新方法；實現多層石墨烯狄拉克點附近的超低能電子激發的實驗研究；實驗發現福斯特激子相互作用為半導體納米管束內激子能量傳遞的主要機制；觀測到GaNAs合金E+能級的螢光譜並提出E+能級新模型;全面總結拉曼光譜表征Ge/Si量子點體系的應力模型，被廣泛採用；系統研究各種SP2 碳材料的色散性拉曼模，為雙共振拉曼散射理論的建立提供了數項重要實驗基礎。發展多項創新實驗技術，已獲13 項國家授權專利。已在國內外物理期刊發表論文80餘篇，被SCI引用近1700餘次，其中SCI引用大於100次的論文3篇，多篇學術論文被國內外學術專著和綜述性文章多次引用。翻譯出版1本專輯《碳材料的拉曼光譜－從碳納米管到金剛石》，在3本英文專輯或專著發表英文章節。曾獲全國優秀博士學位論文獎、盧嘉錫青年人才獎、第四屆徐敘瑢發光學優秀青年論文一等獎等。
主要獎項
曾於2002年獲得中科院院長獎學金特別獎，2003年獲得第五屆全國百篇優秀博士學位論文, 2005年入選北京市科技新星計畫, 2007年獲得第四屆徐敘瑢發光學優秀青年論文一等獎，2008年年獲得盧嘉錫青年人才獎，2011年入選中科院青年創新促進會會員。
2005年至今擔任中國物理學會光散射專業委員會委員,《光散射學報》和《光電子》編委。現為國際核心學期刊J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. Lett./Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett./J. Appl. Phys.以及其它一些國內外物理期刊的審稿人。
代表論著
1. T. Cao, G. Wang, W. P. Han, H. Q. Ye, C. R. Zhu, P. H. Tan, B. L. Liu, J. R. Shi, Q. Niu, E. G. Wang, and J. Feng, “Valley-selective circular dichroism in monolayer MoS2”, Nature Communications (2012), to be published.
2. P. H. Tan, W. P. Han, W. J. Zhao, Z. H. Wu, K. Chang, H. Wang, Y. F. Wang, N. Bonini, N. Marzari, G. Savini, A. Lombardo, and A. C. Ferrari. The Shear Mode of Multi-Layer Graphene.Nature Materials 11:4, 294-300(2012).
3. W. J. Zhao, P. H. Tan, J. Liu, and A.ndrea C. Ferrari, Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability, Journal of the American Chemical Society 113:15, 5941-5946(2011).
4. W. J. Zhao, P. H. Tan, J. Zhang, and J. Liu, Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid, Phys. Rev. B 82, 245423 (2010)
5. T. Hasan, Z. Sun, F. Wang, F. Bonaccorso, P. H. Tan, A. G. Rozhin, A. C. Ferrari, Nanotube Polymer Composites for Ultrafast Photonics (invited), Adv. Mater. 21, 3874(2009).
6. 碳材料的拉曼光譜－從碳納米管到金剛石, A. C. Ferrari, J. Robertson編, 譚平恆, 李 峰, 成會明譯, 化學工業出版社, 2007年, 北京.
7. P. H. Tan, A. G. Rozhin, T. Hasan, P. Hu, V. Scardaci, W. I. Milne, and A. C. Ferrari, Photoluminescence Spectroscopy of Carbon Nanotube Bundles: Evidence for Exciton Energy Transfer, Phys. Rev. Lett. 99:13, 137402 (2007).
8. P. H. Tan, Z. Y. Xu, X. D. Luo, W. K. Ge, Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy, Appl. Phys. Lett. 90:06, 061905 (2007).
9. P. H. Tan, X. D. Luo, Z. Y. Xu, Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, C. W. Tu, and W. K. Ge, Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study, Phys. Rev. B 73, 205205 (2006).
10. P. H. Tan, K. Brunner, D. Bougeard, and G. Abstreiter, "Raman characterizations of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots", Phys. Rev. B 68, 125302 (2003).
11. P. H. Tan, L. An, L. Q. Liu, Z. X. Guo, R. Czerw, D. L. Carroll, P. M. Ajayan, N. Zhang, and H. L. Guo, Probing the phonon dispersion relations of graphite from the double resonance process of Stokes and anti-Stokes Raman scatterings in multi-walled carbon nanotubes, Phys. Rev. B 66, 245410 (2002).
12. P. H. Tan, Y. M. Deng, Q. Zhao and W. C. Chen, The intrinsic temperature effect of the Raman spectra of graphite, Appl. Phys. Lett. 74:13, 1818-1820 (1999).
13. P. H. Tan, Y. M. Deng and Q. Zhao,Temperature-dependent Raman spectra and anomalous Raman phenomenon of highly oriented pyrolytic graphite, Phys. Rev. B 58:9, 5435-5439(1998).
