蔡一茂，北京大學博雅特聘教授，博導，積體電路學院院長，國家傑出青年基金及教育部長江青年學者資助獲得者，北京市人工智慧研究院智源研究員，芯海科技（深圳）股份有限公司獨立董事。
蔡一茂於2000年和2003年，在北京師範大學分別獲得學士和碩士學位；2006年，在北京大學獲得微電子學與固體電子學博士學位；同年至2009年，擔任韓國三星電子存儲器研發中心的高級研究員，主要研究先進非揮發性存儲器架構和工藝。2009年，加入北京大學微電子學研究院。2019年，擔任芯海科技（深圳）股份有限公司獨立董事；2022年1月起擔任北京大學積體電路學院院長；2024年3月，成為北京市人工智慧戰略諮詢專家委員會委員，並作為委員代表進行發言；12月17日，芯海科技（深圳）股份有限公司召開了2024年第一次臨時股東大會，蔡一茂繼續擔任公司董事會獨立董事。
2018年1月，蔡一茂入選2017長江學者青年學者建議人選名單；2020年11月，入選2020年度國家傑青基金名單；他主持包括國家重點研發計畫以及國家自然基金重點在內的多項國家級項目，在包括IEDM，IEEE-EDL在內的國際會議和期刊上發表學術論文100餘篇，獲得了中國專利授權40餘項，美國專利10餘項。現任中國存儲器產業聯盟副理事長、國家積體電路大基金二期諮詢委員會專家委員、北京半導體行業協會常務理事、北京市超弦存儲器研究院副理事長，《中國科學》、《電子學報》、《Chip》期刊編委等社會和學術職務。
基本介紹
- 中文名：蔡一茂
- 畢業院校：北京大學
- 職業：大學教授
- 主要成就：國家傑出青年基金及教育部長江青年學者資助獲得者
- 職稱：特聘教授
- 學位/學歷：博士
人物經歷,任職信息,研究方向,學術職務,研究成果,學術論文,
人物經歷
2006年獲得北京大學固體電子學與微電子學專業博士學位。隨後在韓國三星電子存儲器研發中心任高級研究員，從事先進非揮發性存儲器架構和工藝研究。
2009年，加入北京大學微電子學研究院，任副教授，教授。
2024年12月，擔任芯海科技（深圳）股份有限公司獨立董事。
任職信息
2024年12月17日，芯海科技（深圳）股份有限公司召開了2024年第一次臨時股東大會，產生了公司第四屆董事會換屆選舉：蔡一茂先生為公司第四屆董事會獨立董事。
研究方向
研究領域為先進存儲器、柔性電子器件、神經形態器件及類腦晶片技術。
學術職務
《積體電路系列叢書》、《積體電路工業全書》編委，IEEE Electron Device Letters、 IEEE Transactions on Electron Devices 等專業期刊評審人，北京市人工智慧戰略諮詢專家委員會委員。積體電路標委會主任委員
研究成果
主持國家重大專項、863課題、自然基金委項目等十餘項國家級項目，在國內外專業期刊和會議上發表論文百餘篇，獲得中國發明專利授權20餘項，美國專利授權十多項，部分成果已被國際半導體發展路線圖（ITRS）採用以及被中芯國際積體電路製造公司共享使用。
1.主持863課題“RRAM存儲陣列的設計和最佳化”（ 2011AA010402）
2.主持國家02重大專項子課題“32nm新型CTM快閃記憶體器件及陣列”
3.主持國家自然科學基金面上項目“超低功耗柔性聚合物RRAM”
4.主持國家自然科學基金面上項目“基於可變勢壘的新型自整流超低功耗阻變存儲器及其機理研究”
5.主持國家自然科學基金青年項目“ 適於納米尺度低功耗套用的陷阱類快閃記憶體多柵新結構器件研究”
6. 參與國家“973”重大基礎研究計畫課題“高性能低功耗新型納米尺度MOS器件基礎研究”
學術論文
1.Jian Kang, Yimao Cai*, Ru Huang, et al., Time-Dependent Variability in RRAM-based Analog Neuromorphic System for Pattern Recognition, IEDM 2017
2. Min Lin, Qingyu Chen, Zongwei Wang, Yichen Fang, Jianfeng Liu , Yuchao Yang, Wei Wang, Yimao Cai,* and Ru Huang, Flexible polymer device based on Parylene-C with memory and temperature sensing functionalities, Polymers 9(8), 310; doi:10.3390/polym9080310 (2017)
3.Wang, Zongwei; Kang, Jian; Yu, Zhizhen; Fang, Yichen; Ling, Yaotian; Cai, Yimao*; Huang, Ru; Wang, Yangyuan, "Modulation of non-linear resistive switching behavior of TaOx-based resistive device through interface engineering", Nanotechnology. vol. 28, no.5, 055204. (2016)
4.X. Yang, Y. Fang, Z. Yu, Z. Wang, T. Zhang, M. Yin, M. Lin, Y. Yang, Y. Cai* and R. Huang, “Nonassociative Learning Implementation by Single Memristor-based Multi-terminal Synaptic Device” ，Nanoscale, DOI: 10.1039/C6NR04142F (2016)
5. Muxi Yu, Yimao Cai*, Zongwei Wang, Yichen Fang, Yefan Liu, Zhizhen Yu, Yue Pan,Zhenxing Zhang, Jing Tan, Xue Yang, Ming Li, Ru Huang, Novel Vertical 3D Structure of TaOx-based RRAM with Self-localized Switching Region by Sidewall Electrode Oxidation. Sci. Rep. 6, 21020; doi: 10.1038/srep21020 (2016).
6.Yue Pan, Yimao Cai*, Yefan Liu, Yichen Fang, Muxi Yu, Shenghu Tan,Ru Huang, “ Microscopic origin of read current noise in TaOx-based resistive switching memory by ultra-low temperature measurement”, Appl. Phys. Lett. 108, 153504 (2016)
7.Cai, Yimao*; Tan, Jing; Liu, Yefan; Lin, Min; Huang, Ru,"A Flexible Organic Resistance Memory Device for Wearable Biomedical Applications", Nanotechnology, 27 275206 (2016)
8.Muxi Yu, Yimao Cai*, Yichen Fang, Zongwei Wang, Yue Pan, Ming Li, Ru Huang, “Self-Selection Effects and Modulation of TaOx RRAM with Bottom Electrode of Highly-Doped Si”, Journal of Applied Physics, vol. 119, 195302（2016）
9.Muxi Yu, Yichen Fang1, Zongwei Wang, Gong Chen, Yue Pan, Xue Yang, Minghui Yin, Yuchao Yang, Ming Li, Yimao Cai* and Ru Huang, “Encapsulation layer design and scalability in encapsulated vertical 3D RRAM”, Nanotechnology, vol. 27, 205202 (2016)
10.Bai Wenliang，Huang Ru，Cai Yimao(*)，Tang Yu，Zhang Xing，Wang Yangyuan，“Record Low-Power Organic RRAM with sub-20-nA reset current”，IEEE Electron Device Letters，34（2）：223-225 (2013)
11.Huang Yinglong, Huang Ru，Pan Yue，Zhang Lijie，Cai Yimao(*)，Yang Gengyu，Wang Yangyuan，“A new dynamic selector based on the bipolar rram for the crossbar array application”，IEEE Transactions on Electron Devices， 59（8）：2277-2280 (2012)
12.Lijie Zhang, Ru Huang，Dejin Gao, Pan Yue, Poren Tang, Fei Tan, Yimao Cai, Yangyuan Wang, “Total Ionizing Dose (TID) Effects on TaOx -Based Resistance Change Memory”, IEEE Transactions on Electron Devices 58(8): 2800 - 2804 (2011)
