結型場效應管可變電阻區

結型場效應管可變電阻區

類似於晶體三極體的飽和區。VGS不同對應不同的電阻，且受VGS控制。VGS一定時， VDS的變化直接影響著ID的變化，相當於一個受控電阻，阻值的大小與VGS相關。

當uDS很小，|uDS-uGS|<|UGSoff|時，即預夾斷前，uDS的變化直接影響整個溝道的電場強度，從而影響iD的大小。所以在此區域，隨著uDS的增大，iD增大很快。與雙極型電晶體不同，在JFET中，柵源電壓uGS對iD上升的斜率影響較大，隨著|UGS|增大，曲線斜率變小，說明JFET的輸出電阻變大。