納米電化學

納米電化學

《納米電化學》是化學工業出版社於2010年出版的圖書,作者是喬治·史塔吉夫(GeorgiStaikov)。

基本介紹

  • 書名:納米電化學
  • 作者:喬治·史塔吉夫(GeorgiStaikov)
  • 譯者李建玲王新東 
  • ISBN:9787122083173
  • 頁數:224
  • 定價:49.00
  • 出版社化學工業出版社
  • 出版時間: 2010年7月1日
  • 裝幀:精裝
  • 開本:16開
內容簡介,作者簡介,圖書目錄,

內容簡介

《納米電化學》由國際著名學者執筆,詳細介紹了近十年來套用電化學方法製備納米結構材料的最新成果。全書從結構上分為兩部分,第一部分介紹了基礎理論,包括電結晶過程對電化學納米技術的影響、低維金屬相生成的計算機模擬、離子液體中金屬和半導體的納米電結晶及原子層的電化學取向生長等;第二部分介紹了納米結構的製備與特性,包括通過STM方法電化學生成金屬納米簇、有序陽極多孔氧化鋁層的製備及金屬和合金納米線在多孔氧化鋁模板中的電沉積、納米尺度磁性和非磁性金屬複合層的電沉積過程及特性研究等。
《納米電化學》內容豐富翔實、論述深入淺出,適合電化學、材料領域的科研人員和高校相關專業師生閱讀和參考。

作者簡介

譯者:李建玲 王新東 編者:(德國)喬治·史塔吉夫(Georgi Staikov)

圖書目錄

第一部分 基本原理
1 電化學對納米技術的影響
GeorgiStaikov,AlexanderMilchev
1.1 引言
1.2 巨觀相與微觀相的熱力學性質
1.2.1 熱力學平衡態
1.2.2 電化學過飽和與欠飽和
1.2.3 晶核形成的熱力學功函
1.3 電化學結晶過程原子成核動力學
1.4 納米簇電極表面和空間分布能態
1.5 納米粒子和超薄膜的電化學生長
1.5.1 三維納米簇生長
1.5.2 二維納米簇生長與欠電位沉積(LJPD)單層膜形成
1.6 電化學結晶過程與納米構化定位化
1.7 結論
致謝
參考文獻
2 電化學低維金屬相形成的計算機模擬
MarceloM.Mariscal,EzequielP.M.Leiva
2.1 引言
2.2 分子動力學模擬
2.2.1 概述
2.2.2 金屬表面納米化
2.3 蒙特卡洛法
2.3.1 原理概述
2.3.2 非晶格模型
2.3.3 晶格模型
2.4 布朗和朗之萬動力學模擬
2.4.1 概述
2.4.2 在電化學納米結構化與晶體生長中的套用
2.5 結論與展望
致謝
參考文獻
3 金屬的模板法電沉積與STM探針技術製備零維納米孔洞
WolfgangKautek
3.1 引言
3.2 Bottom.up模板法
3.3 Top-downSPM方法
3.4 低維相熱力學
3.5 STM探針技術製備納米孔洞的電沉積實驗
3.6 Bi在Au上的欠電位行為
3.7 零維Bi沉積
3.8 結論
致謝
參考文獻
4 離子液體在金屬與半導體納米尺度電化學結晶過程中的套用
Walter Freyland,ChitradurgaL.Aravinda,Ditimar’Borissov
4.1 引言
4.2 離子液體的電化學和界面化學特性
4.3 離子液體的變溫電化學掃描探針顯微技術(SPM)研究
4.4 金屬欠電位沉積:成相及相變
4.4.1 銀在金(111)表面電沉積:水溶液與離子液體電解質
4.4.2 鋅在金(111)表面沉積:亞穩態分解和表面合金化
4.5 金屬、合金以及半導體的過電位沉積
4.5.1 Co-AI、N_-AI和Ti-AI合金的沉積
4.6 結論
致謝
參考文獻
5 超共形膜生長
ThomasP.Moffat,DanielWheeler,Daniel、Josell
5.1 引言
5.2 競爭吸附:抑制與加速
5.3 金屬吸附動力學中競爭吸附影響的量化
5.4 特徵填充
5.5 形變模擬
5.6 穩定性分析
5.7 結論與展望
參考文獻
第二部分 納米結構的製備與特性
6 套用STM針尖納米電極實現金屬的原位電化學結晶
WernerSchindler,PhilippHugelmann
6.1 納米尺度的電化學
6.2 突跳金屬沉積
6.3 掃描電化學顯微鏡
6.4 STM探針電化學納米電極
6.5 STM探針電化學納米電極的金屬電沉積
6.6 通過STM探針電化學納米電極進行金屬溶解
6.7 納米電極探針形狀和表面質量的重要性
6.8 單一金屬納米結構的微區電沉積
6.9 總結與展望
致謝
參考文獻
7 有序陽極多孔氧化鋁層製備及其在納米技術中的套用
HidetakaAsoh,SachikoOno
7.1 引言
7.2 自有序陽極多孔氧化鋁
7.2.1 概述
7.2.2 陽極多孔氧化鋁中孔隙形成的自有序控制因素
7.2.3 恆壓下典型的電流一時間暫態過程
7.2.4 高形成電壓下陽極氧化鋁孔隙率的變化
7.2.5 典型自有序行為
7.2.6 高電流/高電場強度陽極化過程
7.2.7 新的自有序條件
7.3 理想的有序多孔陽極氧化鋁
7.3.1 兩步陽極過程
7.3.2 理想有序多孔陽極氧化鋁
7.3.3 方形單元排列
7.3.4 方形單元排列細節觀察
7.4 三維周期性的多孔陽極氧化鋁
7.4.1 通道結構調製
7.4.2 二維/三維複合多孔氧化鋁
7.5 納米多孔氧化鋁在製備納米結構模板中的套用
7.5.1 納米方式:傳統平版印刷術與天然平版印刷術
7.5.2 AI在Si基體上的陽極過程
7.5.3 套用陽極多孔氧化鋁作為模板的si表面的天然平版印刷術
7.6 總結與展望
致謝
參考文獻
8 金屬納米接觸點和納米帶的電化學製備
FangChen,N.J.Tao
8.1 引言
8.2 電化學製備金屬納米接觸點
8.2.1 STM/AFM輔助方法
8.2.2 在支撐面電極上沉積
8.2.3 自終止方法
8.2.4 電化學蝕刻
8.2.5 採用納米孔製備納米點
8.2.6 固態電化學反應
8.2.7 金屬納米點特性
8.3 電化學製備金屬納米帶
8.3.1 AC線圈檢測系統
8.3.2 DC線圈監測系統
8.3.3 電化學雙電層反饋系統
8.3.4 高頻阻抗反饋系統
8.3.5 納米帶套用
8.4 總結
參考文獻
9 電化學階邊修飾法(ESED)製備納米線
ReginaldM.Penner
9.1 引言
9.2 概述
9.3 直接納米線電沉積
9.4 循環電沉積/溶出法製備化合物納米線
……
致謝
參考文獻

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