電子-內部結構模型圖空穴俘獲是一種光激勵發光現象。
物理介紹
電子-內部結構模型圖空穴俘獲是一種光激勵發光現象。光激勵發光是指材料受到輻照時，產生的自由電子和空穴被俘獲在晶體內部的陷阱中，從而將輻照能量存儲起來，當受到光激勵時（波長比輻照光長），這些電子和空穴脫離陷阱而複合發光。因而這種材料被形象地稱為“電子俘獲材料”。
當用寫入光輻照時，材料中產生大量的電子和空穴，這些電子和空穴被俘獲在晶體內部的陷阱中，從而將輻射能量存儲起來。當受到光激勵時（即讀出光，能量小於寫入光），陷阱中的載流子（電子和空穴）脫離陷阱而與發光中心複合發光。空穴俘獲光存儲的寫入（激發），讀出（激勵）的波長範圍，受基質的晶格影響，也受雜質原子，晶格缺陷，以及一些破壞晶格周期性的界面等的影響。破壞了晶格的周期性，就可能在禁帶中形成一些定域能級，定域能級的不同，直接影響了激發、激勵以及激勵發光的不同。電子俘獲材料正是選擇了不同基質以及摻雜，得到了不同波段的存取。電子俘獲材料的讀寫波長由材料中的發光中心決定的。光子-內部結構模型圖 空穴俘獲材料多數是粉末狀的，一般採用高溫固相反應法製備。製備費時費力，對環境的污染大。因此改進制備技術，也是實用化的先決條件。目前有採用二次固相反應法製備材料，減少反就時間，降低反應溫度，提高了產品的純度。有採用隔絕空氣法製備材料的，減少了製備的工序，提高反應的進行的程度。目前高溫固相反應法是製備電子俘獲材料主要方法。為了克服高溫固相反應的缺點，可以針對不同類型的材料嘗試低溫化學合成、生長晶體等方法來製備，這還需要通過與現在製備方法的比較來摸索。
電子-內部結構模型圖
光子-內部結構模型圖
當用寫入光輻照時，材料中產生大量的電子和空穴，這些電子和空穴被俘獲在晶體內部的陷阱中，從而將輻射能量存儲起來。當受到光激勵時（即讀出光，能量小於寫入光），陷阱中的載流子（電子和空穴）脫離陷阱而與發光中心複合發光。空穴俘獲光存儲的寫入（激發），讀出（激勵）的波長範圍，受基質的晶格影響，也受雜質原子，晶格缺陷，以及一些破壞晶格周期性的界面等的影響。破壞了晶格的周期性，就可能在禁帶中形成一些定域能級，定域能級的不同，直接影響了激發、激勵以及激勵發光的不同。電子俘獲材料正是選擇了不同基質以及摻雜，得到了不同波段的存取。電子俘獲材料的讀寫波長由材料中的發光中心決定的。光子-內部結構模型圖 空穴俘獲材料多數是粉末狀的，一般採用高溫固相反應法製備。製備費時費力，對環境的污染大。因此改進制備技術，也是實用化的先決條件。目前有採用二次固相反應法製備材料，減少反就時間，降低反應溫度，提高了產品的純度。有採用隔絕空氣法製備材料的，減少了製備的工序，提高反應的進行的程度。目前高溫固相反應法是製備電子俘獲材料主要方法。為了克服高溫固相反應的缺點，可以針對不同類型的材料嘗試低溫化學合成、生長晶體等方法來製備，這還需要通過與現在製備方法的比較來摸索。
電子-內部結構模型圖光子-內部結構模型圖