《稀土高K柵介質材料》主要介紹稀土高K柵介質材料Er2O3、Tm2O3薄膜的生長、結構及其特性，重點介紹了利用分子束外延方法獲得超薄高K氧化物薄膜的方法。並運用多種手段對薄膜的生長過程、結構、電學特性及能帶排列等進行了研究。《稀土高K柵介質材料》較為全面、系統地介紹了Er2O3、Tm2O3，作為高K柵介質候選材料的製備及相關物理性質。
基本介紹
- 書名：稀土高K柵介質材料
- 出版社：國防工業出版社
- 頁數：167頁
- 開本：32
- 品牌：國防工業出版社
- 作者：冀婷 徐閏
- 出版日期：2014年4月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：9787118094053
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
《稀土高K柵介質材料》是在作者近幾年來從事高K柵介質材料相關科研工作所獲得的結果，並借鑑、吸收了相關領域的一些專家學者和科研人員的一些有價值的研究成果，對微電子工業中柵介質的選擇具有一定的參考價值。
圖書目錄
第1章緒論
1.1 引言
1.2 MOSFET的按比例縮小
1.3柵介質的按比例縮小
1.3.1柵介質的漏電流和功率損耗
1.3.2 SiO2的極限問題
1.4用高K材料代替SiO2作為柵介質的必要性
及其特性需求
1.4.1 高介電常數與高K/Si界面勢壘
1.4.2高K材料與Si的熱穩定性
1.4.3 高K材料與Si的界面質量
1.4.4高K材料的薄膜形態
1.4.5工藝兼容性
1.5稀土高K柵介質材料
參考文獻
第2章薄膜的生長技術和表征技術
2.1鍺矽的分子束外延生長技術
2.1.1 分子束外延技術簡介
2.1.2鍺矽分子束外延系統
2.1.3矽襯底片的清洗
2.1.4鍺襯底片的清洗
2.2表征技術
2.2.1反射式高能電子衍射
2.2.2俄歇電子能譜
2.2.3原子力顯微鏡
2.2.4 X射線衍射
2.2.5 X射線光電子能譜
2.2.6透射電子顯微鏡
2.2.7電學性質表征
參考文獻
第3章Er：O3薄膜的生長、結構及其物理性質
3.1單晶Er2O2薄膜在si（om）襯底上的生長及
電學性質
3.1.1 單晶Er2O2薄膜的生長
3.1.2 氣壓及村底溫度對薄膜生長的影響
3.1.3單晶Er2O2薄膜的電學性質
3.2單晶Er2O3薄膜在Si（111）襯底上的生長
3.2.1 不同村底對薄膜結晶度的影響
3.2.2 不同襯底對薄膜表面形貌及界面的影響
3.3非晶Er2O3薄膜在Si（001）襯底上的生長及
電學性質
3.3.1 非晶Er2O2薄膜的生長
3.3.2組分與結構特性
3.3.3 高真空退火樣品的電學性質
3.3.4氧氣氛退火對非晶Er2O2薄膜結構及
電學性質的影響
3.4 Er2O2薄膜的熱穩定性
3.4.1 氣氛對Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.4.2溫度Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3、4.3村底晶向Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.5 ErzO3/Si的能帶偏移及漏電流輸運機制
3。5.1 Er2O3/Si的能帶偏移
3.5.2 AI（Pt）/Er2O3/Si結構的FN隧穿
參考文獻
第4章Tm2O3薄膜的生長、結構及其物理性質
4.1單晶Tm2O3薄膜在si（om）襯底上的生長及物理性質
4.1，1 單晶Tm3O4薄膜的生長
4.1.2單晶Tm3O4薄膜的微結構
4.1.3 生長氣壓對薄膜微結構的影響
4.1.4單晶Tin2O2薄膜的電學性質
4.1.5單晶Tm2O3薄膜的熱穩定性
4.2非晶Tm2O3薄膜在Si（001）襯底上的生長及電學性質
4.2.1 非晶Tm2O3薄膜的生長
4、2.2非晶Tra2O3薄膜的電學性質
4.3 Tm2O3/Si的能帶偏移及漏電流輸運機制
4，3.1 Tm2O3/Si的能帶偏移
4.3.2 Al（Pt）/Tin2O3/Si結構的FN隧穿
4.4金屬/Tm2O3/si結構漏電流輸運機制及能帶圖
參考文獻
第5章Er2O3薄膜在高遷移率襯底上的生長及物理性質
5.1 Er2O3薄膜在Ge（ooi）襯底上的生長及電學性質
5.1.1 Er2O2薄膜在Ge（001）襯底上的生長
5.1.2溫度薄膜生長的影響
5.1.3溫度對薄膜電學性質的影響
5.2 Er2O2/Ge的能帶偏移
5.3 Er2O4薄膜的局域電學性質及退火對其影響
5.3.1 Er2O3薄膜的形貌與局域電學性質
5.3.2氧氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.3 氮氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.4退火前後形貌特徵
5.3.5 Er2O3薄膜的局域組分、結構與電學性質的關係
參考文獻
1.1 引言
1.2 MOSFET的按比例縮小
1.3柵介質的按比例縮小
1.3.1柵介質的漏電流和功率損耗
1.3.2 SiO2的極限問題
1.4用高K材料代替SiO2作為柵介質的必要性
及其特性需求
1.4.1 高介電常數與高K/Si界面勢壘
1.4.2高K材料與Si的熱穩定性
1.4.3 高K材料與Si的界面質量
1.4.4高K材料的薄膜形態
1.4.5工藝兼容性
1.5稀土高K柵介質材料
參考文獻
第2章薄膜的生長技術和表征技術
2.1鍺矽的分子束外延生長技術
2.1.1 分子束外延技術簡介
2.1.2鍺矽分子束外延系統
2.1.3矽襯底片的清洗
2.1.4鍺襯底片的清洗
2.2表征技術
2.2.1反射式高能電子衍射
2.2.2俄歇電子能譜
2.2.3原子力顯微鏡
2.2.4 X射線衍射
2.2.5 X射線光電子能譜
2.2.6透射電子顯微鏡
2.2.7電學性質表征
參考文獻
第3章Er：O3薄膜的生長、結構及其物理性質
3.1單晶Er2O2薄膜在si（om）襯底上的生長及
電學性質
3.1.1 單晶Er2O2薄膜的生長
3.1.2 氣壓及村底溫度對薄膜生長的影響
3.1.3單晶Er2O2薄膜的電學性質
3.2單晶Er2O3薄膜在Si（111）襯底上的生長
3.2.1 不同村底對薄膜結晶度的影響
3.2.2 不同襯底對薄膜表面形貌及界面的影響
3.3非晶Er2O3薄膜在Si（001）襯底上的生長及
電學性質
3.3.1 非晶Er2O2薄膜的生長
3.3.2組分與結構特性
3.3.3 高真空退火樣品的電學性質
3.3.4氧氣氛退火對非晶Er2O2薄膜結構及
電學性質的影響
3.4 Er2O2薄膜的熱穩定性
3.4.1 氣氛對Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.4.2溫度Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3、4.3村底晶向Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.5 ErzO3/Si的能帶偏移及漏電流輸運機制
3。5.1 Er2O3/Si的能帶偏移
3.5.2 AI（Pt）/Er2O3/Si結構的FN隧穿
參考文獻
第4章Tm2O3薄膜的生長、結構及其物理性質
4.1單晶Tm2O3薄膜在si（om）襯底上的生長及物理性質
4.1，1 單晶Tm3O4薄膜的生長
4.1.2單晶Tm3O4薄膜的微結構
4.1.3 生長氣壓對薄膜微結構的影響
4.1.4單晶Tin2O2薄膜的電學性質
4.1.5單晶Tm2O3薄膜的熱穩定性
4.2非晶Tm2O3薄膜在Si（001）襯底上的生長及電學性質
4.2.1 非晶Tm2O3薄膜的生長
4、2.2非晶Tra2O3薄膜的電學性質
4.3 Tm2O3/Si的能帶偏移及漏電流輸運機制
4，3.1 Tm2O3/Si的能帶偏移
4.3.2 Al（Pt）/Tin2O3/Si結構的FN隧穿
4.4金屬/Tm2O3/si結構漏電流輸運機制及能帶圖
參考文獻
第5章Er2O3薄膜在高遷移率襯底上的生長及物理性質
5.1 Er2O3薄膜在Ge（ooi）襯底上的生長及電學性質
5.1.1 Er2O2薄膜在Ge（001）襯底上的生長
5.1.2溫度薄膜生長的影響
5.1.3溫度對薄膜電學性質的影響
5.2 Er2O2/Ge的能帶偏移
5.3 Er2O4薄膜的局域電學性質及退火對其影響
5.3.1 Er2O3薄膜的形貌與局域電學性質
5.3.2氧氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.3 氮氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.4退火前後形貌特徵
5.3.5 Er2O3薄膜的局域組分、結構與電學性質的關係
參考文獻
