磷化鋁稼單晶gallium aluminum phosphide single crystalC}a.rN少;f)毛a毛1共價鍵結合，有一定的離子鍵成分、立方晶系閃鋅礦型結構。為同接帶隙半導體，禁頻寬度隨r變化在2 . 2b - 2 .45eV範圍。採用外延方法製備。是製作半導體可見光發光器件的材料。
