硒化鉛晶體，c周疑表第nl、if族化合物半導體。離子性品體，氯化鈉型結構，為複式晶格。
硒化鉛晶體lcati selenide crystal Yb}c周疑表第nl、if族化合物半導體。離子性品體，氯化鈉型結構，為複式晶格。晶格常數U.b122nm.密度8.15g/}m3}熔點IOf}S L。第一布里淵區為截面八角體，電子的橫向和縱向有效慣性質量分別為O . D4 ne和f) . 07 rra。為直接帶隙平導體，室溫禁頻寬度0.27e}'，本徵載流子濃度3 x lU0zlrra電子和空穴遷移率分別為。.lU2rra}(V}s)和9.3 x 1U一2rr.} I[ V " : y , 6}xm光的折射率為4.54。採用布里奇曼法、化學澱積法、升華再結品法製備。為製作近紅外區光電探測器材料
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