硒化汞晶體mercury selenide crystal IIgS。周期表第II , VI族化合物半導體。離了鍵結合，有一定的共價鍵成分。立方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數U.60#}5nm,為複式晶格_密度8.24gIcm3熔點soap。導帶極小值和價帶極大值位於布里淵區中心，電子和空穴有效慣性質量分別為o. oasn}和O . i72一0.08m.電子遷移率U . 55m2I(1 } s ) .室溫本徵載流子濃度710=' Im3J採用區域熔煉、布里奇曼法製備。月於製作紅外探測器。
