《矽多晶》是1984年中國標準出版社出版的圖書，作者是中華人民共和國冶金工業部。
《矽多晶》是1984年中國標準出版社出版的圖書，作者是中華人民共和國冶金工業部。內容簡介 《矽多晶(YB 1601-1983)》適用於三氯氫矽、四氯化矽氫還原法和矽烷熱分解法製取的棒狀高純矽多晶。《矽多晶(YB 1601-1983)》為中華人民...
半導體矽材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導體材料，包括矽多晶、矽單晶、矽片、矽外延片、非晶矽薄膜等，可直接或間接用於製備半導體器件。特性 矽為周期表中Ⅳ族元素。在地殼中主要以二氧化矽和矽酸鹽形式存在。豐度為27.7%，...
主要起草單位：洛陽中矽高科技有限公司、多晶矽材料製備國家工程實驗室、有色金屬技術經濟研究院、江蘇中能矽業科技發展有限公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻矽材料有限公司、內蒙古神舟矽業有限責任公司、亞洲矽業（青海）有限公司。主要...
矽工藝中的矽晶錠 矽工藝中的矽晶錠（英語名：ingot in silicon technology，silicon ingot）是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 圓柱形或長方形固態的矽多晶或矽單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
《異質外延層和矽多晶層厚度的測量方法》是2015年10月1日實施的行業標準。適用範圍 本標準適用於測量襯底與沉積層之間界面層厚度小於100nm的異質外延層和矽多晶層的厚度，測量範圍為1μm～100μm。起草單位 南京國盛電子有限公司、有...
矽多晶鑄錠爐是生產太陽能光伏發電領域的重要生產設備。GTM-450/550型是通過引進德國技術，針對太陽能電池市場需求而開發的高性能多晶矽鑄錠設備。矽單晶生長設備TDR-90型、TDR-95型 TDR-90型和TDR-95型單晶爐均是採用直拉（CZ）法...
