矽化鎂晶體magnesium Silicide }r}rstal !V1g}Si )pi期表 第11、11'族元素化合物半導體，屬a}_方晶系螢石型結合、共價 渺占合。禁頻寬度fl . 77e}，電了和空穴有效質量分別為 U . 4bm和f}.S7rn(rn為電子慣性質量):電子和空穴遷移率 分別為},,} ld-a和6 x lC}-urn'人}T"s)}熔點110?'.。採用布 里奇曼法製備。
