王超營，現為哈爾濱工程大學工程力學系副教授，碩士生導師。
基本介紹
- 中文名：王超營
- 畢業院校：哈爾濱工業大學
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：微納米力學及分子模擬、艦船智慧型結構及振動主動控制
- 任職院校：哈爾濱工程大學航天與建築工程學院
教育經歷,工作經歷,主要課程,學術成果,承擔項目,發表論文,
教育經歷
1. 2000/09 –2004/07，長春大學，電氣工程及自動化系，學士
2. 2004/09 –2006/07，哈爾濱工業大學，航天學院固體力學系，碩士
3. 2006/09 –2009/06，哈爾濱工業大學，航天學院固體力學系，博士
工作經歷
1. 2011/10 –至今，哈爾濱工程大學，航天與建築工程學院，
2. 2009/06-2011/10，哈爾濱工程大學，航天與建築工程學院，講師
3.2009/06-2011/10，哈爾濱工程大學，航天與建築工程學院，博士後
4. 2014/10-2015/10，美國喬治亞理工學院，機械工程學院，訪問學者
主要課程
本科生授課課程
工程力學、材料力學
研究生授課課程
微納米力學與分子模擬
學術成果
承擔項目
1. 國家自然科學基金面上項目，11102046，半導體材料中位錯缺陷的多尺度耦合分子模擬研究，2012/01-2014/12，26萬元，已結題，主持
2. 黑龍江省自然科學基金面上項目，A201403，矽中位錯及相關微納米力學性能的計算機模擬，項目負責人, 批准經費：6.0萬元, 2014-07-01 至 2017-07-01
3. 艙室噪聲及控制，708所，2016年7月至2017年3月
發表論文
1. Chaoying Wang*, Xiaoqing Sun, Chenliang Li, Guoxun Wu, Baolai Wang, Zhenqing Wang, Qingyuan Meng, Lijun Yang. Effects of defect on the storage and diffusion of Na and Mg interstitials in Si anode, J. Alloys Comp, 2016, 654:157-162，JCR：1區
2. Wang, Chaoying, Li, Hecheng, Li, Chenliang, Wu, Guoxun, Sang, Tianyi, Yang, Lijun, Wang, Zhenqing. Effects of 30 degrees partial dislocation and stacking fault on Na and Mg storage and diffusion in Si anode. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE,2016,118: 16-21, JCR：2區
3. Chaoying Wang*, Lijun Yang, Wei Zhao, Qingyuan Meng, Guoxun Wu, Baolai Wang and Chenliang Li. Multi-scale simulation of the stability and diffusion of lithium in the presence of a 90°partial dislocation in silicon J. App. Phys. 2014, 116:213504, JCR：2區
4. Chaoying Wang*, LiJun Yang, Wei Zhao, QingYuan Meng, Chenliang Li, and GuoXun Wu, Multi-scale simulation of lithium diffusion in the presence of a 30° partial dislocation and stacking fault in Si. J. Appl. Phys. 2014, 115：043532, JCR：2區
5. Chaoying Wang*, Zhenqing Wang, Qingyuan Meng and Zhaoying Wang. Dynamic properties of reconstruction defect on 90- partial dislocation in Si, Phys. Status Solidi B, 2012, 249:531-534. JCR：3區
6. Chaoying Wang*, Zhenqing Wang,Guojun Li and Qingyuan Meng, INTERACTION BETWEEN THE 30？ PARTIAL DISLOCATION AND HEX-VACANCY IN SILICON. Modern Physics Letters B. 2012, 26:1250154. JCR：4區
7. Chaoying Wang*, Zhenqing Wang and Qingyuan Meng. Comparative study of the empirical interatomic potentials and density-functional simulations of divacancy and hexavacancy in silicon, Physica B: Condensed Matter, 2011，406（3）: 467-470.JCR：3區
8. Chaoying Wang*, Zhenqing Wang, Qingyuan Meng, Chenliang Li, Hongwei Atomic simulation of the dynamic properties for a double period structure with 90° partial dislocation in Si. Superlattices and Microstructures, 2011，5（2）:157-163. JCR：4區
9. Chaoying Wang*, Zhenqing Wang, Qingyuan Meng. Comparative study of the first-principle and empirical potentials simulations of vacancies in silicon. ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 59(5): 3370-3376. JCR：3區
10.Chaoying wang*, Qingyuan Meng, Kangyou Zhong, and Zhifu Ying. Atomic simulations of the dynamic properties of the 30° partial dislocation in Si crystal. Phy. Rev. B. 2008, 77: 205209. JCR：2區
11.Chaoying wang*and Qingyuan Meng. Atomic simulation of the 30 degree partial dislocation interaction with divacancy in Silicon. Phys. Status Solidi RRL. 2009, 3(2-3): 73-75. JCR：3區
