澱積率(deposition rate)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:澱積率
- 外文名:deposition rate
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年

澱積率(deposition rate)是1993年公布的電子學名詞。
澱積率(deposition rate)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
澱積層上移20-50cm 鈣積層破碎度增加30 90% 犁底層滲透率降低至天然狀態的40% 診斷特徵 野外判別依據:連續澱積層:距離粘化層,結核含CaCO3 同生結核:CaCO₃含量>25%,形狀不規則 後生結核:呈圓形,CaCO₃含量低 實驗室指標:粘粒含量突增層位R值>1.2 光性定向粘粒膠膜覆蓋率>5% 游離Fe₂O₃含量...
澱積層亮度較上覆土層降低2-3個單位 彩度值增加1-2個單位 實驗室判定需滿足膠膜體積占比>3%且單層厚度>0.5mm的核心指標。分類學套用 全球主要土壤分類體系均將其作為診斷層:中國土壤系統分類:黏粒含量比≥1.2倍 絕對增量>3%(砂質土)或>8%(其他質地)美國土壤分類:厚度>7.5cm 膠膜覆蓋率>5% 聯合...
物理氣相澱積則以濺射技術為代表,磁控濺射通過磁場約束電漿,使靶材原子以更高效率轉移到襯底表面,濺射率達傳統直流濺射的5-10倍。工藝實現方法 在熱CVD系統中,臥式反應器的溫度梯度控制在±1℃以內以確保薄膜均勻性,典型套用包括多晶矽沉積。電漿CVD設備採用平行板電極結構,工作頻率13.56MHz時可實現二氧化矽...
電漿化學氣相澱積台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年08月15日啟用。技術指標 極限真空:反應室8.0*10-5Pa,進樣取樣室5.0*10-1Pa;澱積速率:200-500?/min;澱積均勻性:≤±4%;樣品尺寸:400mm*500mm;裝片量1片;電極加熱:室溫~350℃(精度±0.5℃);壓力調節範圍:0.1Pa~100Pa;四...
化學氣相澱積指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。化學氣相澱積CVD (Chemical Vapor Deposition)化學氣相澱積是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑引入反應室,在晶圓表面發生化學反應,...
灰化澱積層是由有機質與鐵、鋁通過螯合作用形成的礦質澱積層,形成於濕潤寒溫帶針葉林或針闊葉混交林生態系統中。該土層以游離態三二氧化物和有機碳的澱積為顯著特徵,通常位於漂白層下方,其形成需要酸性母質與真菌分解產生的腐殖酸共同作用。作為美國《土壤系統分類》的核心診斷層,它定義了灰土綱(Spodosols)的...
金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)是1968年由美國洛克威爾公司提出的化合物半導體單晶薄膜製備技術。該技術通過氣態物質在加熱襯底表面的可控輸運實現外延生長,主要套用於氮化鎵(GaN)系材料的外延生長及藍綠光LED晶片製造領域。MOCVD設備融合精密機械、半導體材料、真空電子等多學科技術,具有自動化程度高、技術集成度高的...
化學汽相澱積工藝(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一種利用氣態反應物在固態基體表面發生化學反應生成固態薄膜的技術。該工藝通過氣相物質在基底表面的吸附及化學反應實現薄膜沉積,可製備導電、絕緣或超導等多種功能材料,廣泛套用於積體電路、光伏電池、光學器件及硬質塗層等領域。該工藝核心機制包括氣相反應、表面吸附...
澱積薄膜時,濺射源置於靶極,受氬離子轟擊後發生濺射。如果靶材是單質的,則在襯底上生成靶極物質的單質薄膜;若在濺射室內有意識地引入反應氣體,使之與濺出的靶材原子發生化學反應而澱積於襯底,便可形成靶極材料的化合物薄膜。通常,製取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接進行濺射而得。在濺射中,濺出的...
工作在這一區域的工藝稱為質量輸運限制的。於是一種或多種澱積氣體的濃度控制澱積速率。特點介紹 以這一方式工作的CVD(化學氣相澱積)系統必須有良好的溫度控制和溫度均勻性。這些系統最初是大批量(即多個晶圓片同時加工)系統,在這類系統中許多晶圓片以相當低的速率加工。套用 積體電路工藝中澱積薄膜層。
黏化層是由黏粒淋移澱積或原生礦物就地風化形成的黏粒富集層,其形成機制包括殘積黏化(原生礦物土內風化)和澱積黏化(黏粒遷移至心土層)兩種主要方式。根據中國土壤系統分類標準,黏化層需滿足黏粒含量顯著高於上覆土層(均質母質條件下達1.2倍以上)、具有黏粒膠膜(覆蓋率≥5%)或厚度指標(壤質≥7.5厘米,砂...
《微納尺度製造工程》由嚴利人編著,2011年電子工業出版社出版,是《微電子製造科學原理與工程技術》第三版專著。全書系統闡述積體電路製造工藝的科學原理與工程技術套用,分五篇二十章,涵蓋半導體襯底製備、熱處理、圖形轉移、薄膜沉積及工藝集成等全流程技術體系,解析光刻、離子注入等基礎工藝及原子層澱積、浸潤式光刻...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、...
化學指標:矽鐵鋁率值較澱積層高0.54 結構特徵:澱積層可見鐵錳斑紋、膠膜及結核 酸度指標:水解性酸及交換性H+/Al3+含量顯著低於澱積層 農業影響 作為低產土壤障礙層,其不良特性體現在:物理性狀:通透性差阻礙根系發育 化學性質:有效養分含量僅為正常耕作層50%-60% 耕作限制:機械強度低易形成犁底層 改良難度...
腐殖質澱積:遷移至澱積層中的鐵錳離子在氧化條件下重新沉澱,形成鐵錳膠膜或結核,同時腐殖質與黏粒結合形成暗色澱積層。西藏東南部海拔3000-4000米山地觀測顯示,漂灰化土壤亞表層鐵含量較表層下降60-75%,錳流失率達45-60%,而澱積層鐵錳濃度可達表層的3-5倍。地理分布 該現象集中分布於我國三大地理單元:橫斷山系...
