溶質富集是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 溶質富集 |
英文名稱 | solute enrichment |
定 義 | 由於溶質分凝和擴散不均勻而在局部形成溶質濃度升高的現象。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
基本介紹
- 中文名:溶質富集
- 外文名:solute enrichment
- 所屬學科:材料科學技術
- 公布年度:2011年
溶質富集是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 溶質富集 |
英文名稱 | solute enrichment |
定 義 | 由於溶質分凝和擴散不均勻而在局部形成溶質濃度升高的現象。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
溶質富集是2011年公布的材料科學技術名詞。定義由於溶質分凝和擴散不均勻而在局部形成溶質濃度升高的現象。出處《材料科學技術名詞》。...
BPS理論是指在一般熔體凝固過程中,在固-液界面附近形成溶質富集層,其厚度為s。假定除垂直於分界面並與凝固速度有關的熔體流動外,界面附近沒有其它形式的流動,在s範圍內,從凝固的固體中排向熔體的溶質僅僅依靠擴散傳輸到s區之外,這一富集層稱為擴散層,在s區之外,溶質依靠熱對流和攪拌而很快分布在整個熔體中...
平衡偏聚的主要特點: 晶界上溶質富集的程度只取決於系統平衡參數,與材料經歷的過程無關,因此隨系統參數的變化是可逆的。對平衡偏聚的研究屬熱力學範疇,主要研究溫度和成分對偏聚的影響,並以此控制偏聚對晶界脆性的影響。由於引入了互動作用係數,從而考慮了合金元素和雜質之間的吸引或排斥作用。Gut tmann模型很好...
合金在近平衡凝固過程中,溶質發生再分配,在同~液界面的液相側中形成一個溶質富集區。由於液相成分的不同,導致理論凝固溫度的變化。當固相無擴散而液相只有擴散的單相合金凝固時,界面處溶質含量最高,離界面越遠溶質含量越低(如圖1所示)。平衡液相溫度T(xˊ)則與此相反,界面處最低;離界面越遠,液相溫度...
逆偏析是一個冶金工業術語。組織特徵 其組織特徵不能用金相顯微鏡觀察,只能用化學分析方法確定。形成機理 傳統解釋認為,隨著熔體凝固的進行,殘餘液體中溶質富集,由於凝固殼的收縮或殘餘液體中析出的氣體壓力,使溶質富集相穿過形成凝殼的樹枝晶的枝幹和分支間隙,向鑄錠表面移動,使鑄錠邊部溶質高於鑄錠中心。除高銅鋁...
表面和界面的偏析是一種在合金或含雜質的材料中常發生的物理現象。這一現象可以顯著地改變材料本身的特性,比如抗氧化、抗腐蝕性。定義 熔融金屬或合金凝固時,體積發生收縮,富集溶質的剩餘溶體沿枝晶通道向凝固較早的區域流動,使該區域最終溶質濃度增加,即偏析由中心向表面遷移,謂之表面偏析。表面和界面的偏析是...
溶質富集程度與裕質分配係數k有關。對於溶質分配係數k1的合金來說,k越大,溶質富集程度越大,溶質元素對晶粒細化作用也越大。可以用偏析係數|1-k|來衡量溶質元素對晶粒細化作用的大晶粒細化作用的大小。偏析係數|1一k|大的元素,在凝固時引起的偏析越大,它們對晶粒的細化作用也越大。三、動力學細化 在結品...
隨著結晶的進行,由於選分結晶在凝固前沿形成溶質富集層,這時晶體便從表面溶質濃度富集較少的部位——八面體的頂端沿〈111〉方向凸出生長,形成樹枝晶的一次軸(主幹)。接著,一次軸沿八面體的棱邊——溶質濃度次低處優先長粗。當一次軸表面處組成過冷進一步增加時,又會在一次軸晶體缺陷處形成與一次軸相垂直的...
區域精煉 區域精煉是通過對金屬棒料從一端到另一端逐步加熱熔化並凝固,利用凝固時發生的溶質在液相中富集即偏析來使棒料中溶質向先熔化的一端富集,從而使另一端獲得純度較高金屬的精煉方法。
同時,理論計算得出,PQ700鋼中,Ti(CxN1-x)在溶質富集區及貧化區對鑄坯的理論抗拉強度影響分別為48MPa,47MPa;Nb(CxN1-x)在溶質富集區及貧化區對鑄坯的理論抗拉強度分別為:96MPa及104MPa。P550CL鋼,Ti(CN)類溶質富集區及貧化區析出物抗拉強度為52.5MPa,46.7MPa, Nb(...
連續鍛壓技術是日本川崎鋼鐵公司開發的,在鑄坯的最後凝固階段對鑄坯進行鍛壓,當鑄坯受到鍛壓後尺寸急劇變小,在液相穴末端形成緻密的固相,從而防止富集溶質的鋼液的流動,避免中心偏析的形成。該工藝不僅較好地消除中心偏析、中心疏鬆和中心裂紋,並可將V形偏析去除。以上各種中心偏析的控制方法是從改變凝固組織結構和...
當成分過冷較小時,固溶體晶體呈胞狀方式生長。如果合金的分配係數小於1,則在胞壁處將富集溶質;若分配係數大於1,則胞壁處的溶質將會貧化。這稱為“胞狀偏析”。用電子探針分析表明,有的合金(當k ,固態擴散係數約 ,那未退火一個小時左右就足以消除這種偏析。2.枝晶偏析 枝晶偏析(晶內偏析)是由合金的...
1.5 溶質再分配 參考文獻 習題 第2章 固液界面的原子遷移 2.1 形核條件 2.2 形核率 2.3 界面結構 參考文獻 習題 第3章 固液界面的形態不穩定性 3.1 純物質的界面不穩定性 3.2 平面狀固液界面前沿的溶質富集 3.3 合金的界面不穩定性 3.4 擾動分析 參考文獻 習題 第4章 凝固的微觀組織:胞狀和...
但是,PMO作用下,固液界面前沿的溶質濃度梯度顯著增加,溶質富集層減薄,從而造成成分過冷區及最大成分過冷度增加,利於固液界面前沿的異質形核。熱模擬實驗和工業試驗表明,中碳鋼鑄坯在結晶器電磁攪拌和末端電攪作用下仍可以形成穿晶組織,而在二冷區施加PMO,等軸晶面積比例可以達到25%,該現象也表明PMO可以有效...
有人觀察到在鋼接近凝固最後階段時,在富集溶質的枝晶間隙中形成第二相硫化物夾雜物。這些夾雜物特別穩定,妨礙晶粒細化,並認為溶質的顯微偏析是造成隨後鍛鋼的帶狀組織的原因。有人討論了枝晶顯微偏析對於帶狀或纖維狀偏析的主要性。通過控制枝晶軸間距來控制成分的均勻性,變得越來越重要。枝晶偏析程度 枝晶偏析程度...
環狀偏析的形成原因為,在枝晶凝固前沿存在微量的溶質富集,當熔煉速度或功率變化時,凝固平衡被破壞而引起溶質含量變化,同時引起凝固界面中溶質含量變化。這種成分變化一般很小,低於10%溶質含量。因此,環狀偏析的寬度也很小,一般低於100~300 μm。2 α 微觀偏析 α偏析又可分為I 型偏析和Ⅱ型偏析。很早以前,...
這個理論是Winegard 和Chalmers 於1953 年提出來的。該理論認為,隨著凝固層向內推移,固相散熱能力逐漸j弱,內部溫度梯度趨於平緩.且液相中的溶質原子越來越富集,從而使固一液界面前方成分過冷逐漸增大。當成分過冷大到足以發生非均質形核時,便導致內部等軸晶的形成。然而,這種說法後來被人們所懷疑,連Chalmers 本人...
膜分離技術(membrane separation technology,MST)是天然或人工合成的高分子薄膜以壓力差、濃度差、電位差和溫度差等外界能量位差為推動力,對雙組分或多組分的溶質和溶劑進行分離、分級、提純和富集的方法。MST具有節能、高效、簡單、造價較低、易於操作等特點,可代替傳統的如精餾、蒸發、萃取、結晶等分離,可以說...
鄰近凝固終了的粘稠狀區域內,晶間富集溶質元素的液體活動和固體漂移是引起中心偏析的根本原因。與板坯相比,連鑄方坯的液芯末端比較狹長,輕易產生“搭橋”而形成“小鋼錠”現象,因此連鑄方坯中心偏析的形成機理與板坯有所不同,偏析的形態也有所區別。V型偏析是連鑄方坯最常見的中心偏析,在這方面所作的研究也相對...
4.2 簡單電色譜分離模式中不同形態溶質的輸運 4.3 加壓電色譜中溶質的保留及選擇性調節 4.4 混合固定相電色譜中溶質的輸運特徵 4.5 毛細管電色譜混合分離機理 4.6 離子對電色譜法分離機理 4.7 電色譜手性分離中的協同作用 4.8 固定相動態改性電色譜的分離機理 參考文獻 第五章 毛細管電色譜柱上富集 5.1...