李肇基教授，博士導師，享受國家特殊津貼專家，四川省科技顧問團顧問。1963年畢業於（現電子科技大學）半導體專業。
基本介紹
- 中文名：李肇基
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 畢業院校：成都電訊工程學院
簡介,主要成果如下,
簡介
李肇基教授，博士導師，享受國家特殊津貼專家，四川省科技顧問團顧問。1963年畢業於（現電子科技大學）半導體專業。1963年至今在該校從事半導體和微電子學方面的科研和教學工作，多次榮獲“三育人”先進個人、優秀教師等稱號，其中1982年至1984年作為訪問學者赴美國喬治亞理工學院工作，1984年回國後主要研究領域是新型功率器件和智慧型功率積體電路。指導博士生和碩士生五十餘名，鑑定科技成果12項，獲國家專利兩項，獲國家科技進步三等獎，國家發明四等獎、電子部科技進步獎等8項。在IEEE等發表論文四十餘篇，被邀為國際雜誌《Solid-State Electronics》審稿人。作為課題負責人之一的八·五攻關項目"新型功率MOS器件"於1996年11月獲國家計委，國家科委和財政部聯合表彰。在IEEE Trans ED（1994，No.12）等中，提出了CLIGBT有非平衡電子抽出的模型和網路模型及模型直接嵌入法。並提出一種具有鍵合襯底的絕緣柵場效應電晶體（IGBT），此結構可普適於電導型調製功率器件，獲發明專利。用國產單晶矽材料取代昂貴的進口外延片製作IGBT。在IEEE Trans. ED（1994，No.12）提出CLIGBT瞬態回響模型。在Solid-State Electron（1991，No.3）提出功率MOS電晶體熱特性分析的全熱程電熱模型。在Solid-State Electron（2000，No.1）中提出電導調製型功率器件的非平衡載流子非準靜態抽出模型。在ICCCAS（2002 June）提出了SOI高壓橫向器件的新結構及其界面電荷耐壓模型。
主要成果如下
§ MOS類新型電力電子器件及其技術"，國家科技進步三等獎，1998（2）；
§ 一種具有複合禁止層耐壓的高速高壓功率半導體器件"，國家發明四等獎，1996（2）；
§ "XXXX功率器件"，國防科技二等獎，2000（1）；
§ "靈巧功率積體電路設計技術，1996~2000"。 已由電科院主持鑑定，達到國際先進水
平，驗收穫優。
§ "XXXX積體電路研究，1996~2000"。 已由電科院主持鑑定，達到國際先進水平，
驗收穫優。
§ 兩個項目獲2001年國防科技進步二等獎。
§ Z.J. Li，L.Y. Luo，Y.F. Guo，B. Zhang，J. Fang，J. Zeng，"Breakdown Theory of a
New SOI Composite Structure", ICCCAS, pp.1744-1747, June, 2002;
§ Z. J. Li, J. Fang, J. Yang, Analytical Turn-off Current Model for Type of
Conductivity Modulation Power MOSFETS with Extracted Excess Carrier,
Solid-State Electronics, Vol44, No. 1, pp1-9, 2000；
§ Z. J. Li, et al, Turn-off Transient Characteristics of Complementary
Insulated -Gate Bipolar Transistor, IEEE Trans. ED, ED-41，No.12，pp.2468-2471，
1994；
§ Z, J, Li, X. B. Chen et al. Analysis of thermal characteristics of VDMOS Power
Transistor, Solid State Electronics，Vol.34， No.3， pp.225-231，1991；
§ Z. J. Li, M. Zhang, J. M. Zhao and X. N. Li, Extracted Current Turn-off Model for
Type of the Power MOS Transistor with Conductivity Modulation，
Chinese J. Electronics， Vol.7，No.3，pp.223-227，1998；
§ X. B. Chen，B. Zhang and Z. J. Li，Theory of Optimum Design of Reverse-Biased p-n
Junctions using Resisted Field plates and Variation Lateral Doping,
SSE Vol. 35，No.9，pp1365-1370，1992；
§ Z. J. Li, et al, Calculation of Electric Field Profile of High Voltage Devices With
Junction Termination Extension，Proc. ICSICT Oct，pp462-464，1989；
§ Q. Liu（劉啟宇）, Z. J. Li（李肇基）, B. Zhang（張波）, J. Fang（方健）,
"The Research on Breakdown Voltage of High Voltage LDMOS Devices with Shielding
Trench", Proc. ICSICT,10, pp.155-158, 2001；
§ Li Zhaoji, Guo Yufeng , Zhang Bo, J Fang ian, Li Zehong, A New 2-D Analytical Model
of Double RESURF in SOI High Voltage Devices, Proceedings of ICSICT04, 2004，
pp. 3 28-331.(ISTP)
§ Guo Yufeng, Li Zhaoji, Zhang Bo, Fang jian, An Analytical Breakdown Model of High
Voltage SOI Device Considering the Modulation of Step Buried-oxide Interface
Charges, Proceedings of ICSICT04, 2004, pp357-360.(ISTP)
§ Baoxing Duan , Bo Zhang , Zhaoji Li，"A New Partial SOI Power Device Structure with
P-type Buried Layer"，Solid-State Electronics，49，1965-1968。
