基本介紹
- 中文名：李國強
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 出生地：湖北石首
- 出生日期：1979年2月
- 職業：教授
- 性別：男
- 政治面貌：中共黨員
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人物經歷
學習經歷
2001.03-2004.05 西北工業大學凝固技術國家重點實驗室 攻讀博士學位
1999.09-2001.03 西北工業大學凝固技術國家重點實驗室 攻讀碩士學位
1995.09-1999.07 西北工業大學材料科學與工程學院 本科
工作履歷
2010.02-今 華南理工大學材料學院 教授
2007.04-2010.02 牛津大學材料系 皇家學會研究員、牛津大學研究員
2005.05-2007.04 東京大學生產技術研究所 JSPS外國人特別研究員
2004.05-2005.05 通用電氣全球研發中心 高級研究員
研究方向
主要研究領域包括以下幾個方向：
1. 化合物半導體的外延生長及缺陷控制
2. 化合物半導體的化學合成
3. 化合物半導體器件（LED及太陽能電池）製備
4. 化合物半導體材料的微觀結構與器件的性能模擬
5. 非晶態材料的原子結構（實驗及理論計算）
主要貢獻
研究成果
1. 提出了改進的垂直布里奇曼法並生長出大直徑高質量CdZnTe單晶。建立了II-VI 族化合物中缺陷對紅外光的吸收機理，提出了一種無損的對該類晶體的光學和電學性能進行綜合評價的方法。發明了此類晶體的液相介質退火改性工藝。該成果獲得2006年“全國百篇優秀博士論文”。
2. 首次實現低缺陷密度非極性氮化物單晶薄膜在LGO襯底上的成長及相關器件的研製。該研究結果被國際著名期刊Chemical Communications 作為封面報導進行發表；並首次實現了高質量氮化物薄膜在尖晶石和金屬鎢襯底上的室溫生長及相關器件的研製。
3. 深入研究了化合物半導體的缺陷形成及控制機理。
學術論文
目前主持在研項目包括國家自然科學基金項目及華南理工大學中央高校基本科研業務費人才引進重點項目。在國際學術刊物上發表學術論文30餘篇，其中SCI 期刊收錄論文34篇，EI檢索35篇。近5年內發表論文30餘篇，獲省部級科技獎2 項。是美國MRS、ACS、IEEE，英國IoP、RMS，日本JSAP 及JEMS 會員，並擔任多個國際學術期刊審稿人。
目前，課題組與英國牛津大學、York大學、Strathclyde大學保持密切的合作關係。
