4維時空中以實際觀測者為原點的一個局域參考架。
基本介紹
- 中文名：本徵基
- 外文名：propertetrad
本徵基
相關詞條
- 本徵基
4維時空中以實際觀測者為原點的一個局域參考架。...
- 本徵方向
本徵方向 觀測者以其本徵基為參考架時測得的天體的方向，與自然方向的差為周年光行差。中文名稱：本徵方向；英文名稱：properdirection；
- 本徵矽
本徵矽 本徵矽是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 晶格完整且不含雜質的矽單晶，其中參與導電的電子和空穴數目相等。室溫下本徵矽的電阻率約為2.32×10＾5Ω·cm。出處 《材料科學技術名詞》。
- 本徵連線損耗
本徵連線損耗（intrinsic joint loss）是指當兩根光纖連線時，因光纖參數不匹配而引起的光纖本徵的光功率耦合損耗。在光纖的纖芯材料內部，有兩種原因會引起傳輸光功率的衰減。第一種是吸收，表明了躍遷；另一種是散射，意味著非定向。吸收這一名詞指與纖芯的原子結構發生無反向輻射碰撞的光的躍遷。從本質上來講，光...
- 本徵圖像
本徵圖像，是指將一幅圖像分解成兩個部分——反射圖和照射圖（或稱本色圖和高光圖），這兩幅分解得到圖像就是原圖像的本徵圖像。基本概念 照射圖 照射圖（Shading image），或稱高光圖，是反應原圖像光照情況的圖像。反射圖 反射圖（Reflectance image），或稱本色圖，是指在變化的光照條件下能夠維持不變的圖像...
- 本徵激發
當有能量大于禁頻寬度的光子照射到半導體表面時,滿帶中的電子吸收這個能量,躍遷到導帶產生一個自由電子和自由空穴,這一過程稱為本徵激發。簡介 當半導體的溫度T>0K時，有電子從價帶激發到導帶去，同時價帶中產生了空穴，這就是所謂的本徵激發。一般來說，半導體中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強，...
- 本徵半導體
本徵半導體（intrinsic semiconductor）是指完全不含雜質且無晶格缺陷的純淨半導體，一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純淨半導體。典型的本徵半導體有矽(Si)、鍺(Ge)及砷化鎵(GaAs)等。簡介 本徵半導體是指化學成分純淨的半導體，它在物理結構上有多晶體和單晶體兩種形態，製造半導體器件必須使用單晶體。製造...
- 遠程量子相干性及其在遠程量子效應中的套用
其中，密度矩陣的基可選為A的初態約化密度矩陣的本徵基，亦可選為B對A的另一種量子操控所得的量子態的本徵基。隨後，我們通過理論分析和數值對比的方法，研究遠程量子相干性與量子操控橢球之間的關係，並將遠程量子相干性的定義推廣到高維體系，考察其在局域增強量子關聯效應中所起的作用。本項目首次提出遠程量子相干...
- NPN型電晶體
第一次硼注入形成本徵基區;第二次硼注入自對準(self-aligned)於多晶矽發射區以形成一個連線本徵基區和 p+ 基極接觸的 connection.多晶發射極旁的側牆(spacer-like)結構用來隔開p+ 基極接觸和提供自對準.在模擬過程中，relax 語句是用來減小結構深處的格線密度，從而只需模擬器件的一半；第三次硼注入...
- 客觀坍縮理論
最佳化基問題：量子系統有很多種不同的本徵基底，當波函式坍縮時，到底應該選擇坍縮至哪一個基底的本徵態？觸發問題：隨著系統從微觀尺度增大至巨觀尺度，怎樣同步增強觸發坍縮機制的功能？原版坍縮模型指的是最早出現的有效解決這兩個問題的模型，又稱為量子力學自發定域模型，簡寫為QMSL模型。這簡單模型可以展示出坍縮理...
- 特徵向量
因為這個空間是一個希爾伯特空間，有一個定義良好的標量積，我們可以引入一個基集合，在其中ΨE和H可以表示為一個一維數組和一個矩陣。這使得我們能夠用矩陣形式表達薛定鄂方程。狄拉克記法經常在這個上下文中使用，以強調狀態的向量和它的表示，函式ΨE之間的區別。在這個情況下，薛定鄂方程寫作 並稱是H的一個本徵...
- 心肌梗死前綜合徵
本徵基本病變是冠狀動脈粥樣硬化以及某些因素影響心肌的血氧供應，導致心律失常、低血壓等所致。臨床表現 1.全身症狀 大多數人在心肌梗死發作前均有程度不同的表現。約有半數的人前驅症狀出現在梗死前1～3天，另有半數出現在心肌梗死前3～7天。主要有乏力、胸部不適，活動時心悸、氣急、煩躁、心絞痛等症狀。心絞痛...
- BiCMOS技術
把NPN雙極管併入基本的雙阱CMOS結構，最簡單的方法是雙極集電極用n阱，雙極基區加 一層掩蔽層。在這 種結構中，雙極發射極的形成、雙極集電極的摻雜增強、以及NMOSn⁺源/漏的形成是同時完成的。雙極電晶體的 非本徵基區摻雜和PMOSp⁺源/漏也一起形成。從雙極觀點出發，該結構的性能由高集電極串聯電阻加以權衡...
- 施主(電子學術語)
施主（donor）是指半導體中以貢獻出電子方式形成電子電導的一種雜質。完全純的半導體（稱本徵半導體）在室溫下是不導電的。要使半導體導電，需要有意識地在純半導體中摻一些雜質。概念說明 完全純的半導體（稱本徵半導體）在室溫下是不導電的。要使半導體導電，需要在純半導體中摻一些雜質。在IV族半導體材料矽或鍺中摻...
- 點缺陷
點缺陷是晶體中晶格上的一種局部錯亂，影響範圍只有鄰近幾個粒子。根據點缺陷不同的成因可以將點缺陷分為下面三類：本徵缺陷、雜質缺陷和電子缺陷。本徵缺陷 本徵缺陷的類型是，在點陣中晶格結點出現空位，或在不該有粒子的間隙上多出了粒子（間隙粒子）。此外，還可能是一種粒子占據了另一種粒子應該占據的位置形成...
- 場致發光光源
場致發光光源，又稱電致發光光源或稱作本徵電致發光光源。 是兩電極之間的固體發光材料在電場激發下發光的電光源。發現 1936年，法國學者G.德斯垂髮現,摻有銅雜質的ZnS螢光粉具有場致發光的功能。1950年,E.C.佩恩等解決了SnOx透明導電膜電極和ZnS螢光粉發光層之間的有機粘結問題，製成第一隻實用的平面狀交流粉末...
- 厄米矩陣
在物理系統中，其可觀察的物理量(例如坐標、動量、能量等等)，在量子力學中可視為一算符，此算符有對應的本徵向量和本徵值，算符所對應的本徵向量代表物理系統的狀態，物理量發的結果就是本徵值。因此，如用矩陣表示算符，則一定是厄米矩陣，因為厄米矩陣的本徵值為實數，所以也是可觀察的量。性質 顯然，埃爾米特...
- 電磁波導
這組方程有多個解。每個解也叫做一個模，也就是本徵方程組。因此每個模的特性由其本徵值決定，而本徵值與波在波導中軸傳播速度有關。 波導傳播的模取決於波長，偏振（極化），及波導的形狀與大小。在空心金屬波導中，對於矩形波導，基本模是transverse electric（橫電波）TE模；對於圓形波導，基本模是TE。
