晶體諧振器主要技術指標,說明,
晶體諧振器主要技術指標
標稱頻率：振盪器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。
頻率準確度：振盪器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對於標稱頻率的偏差。
調整頻差：在指定溫度範圍內振盪器輸出頻率相對於25℃時測量值的最大允許頻率偏差。
負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相併聯,其組合阻抗呈現為電阻性時（產生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在並聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
晶體諧振器
晶體諧振器靜電容：等效電路中與串聯臂並接的電容，也叫並電容，通常用C0表示。
工作溫度範圍：能夠保證振盪器輸出頻率及其化各種特性符合指標的溫度範圍。
頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度範圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。
ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
ftref=±MAX[|(fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]
ft：頻率溫度穩定度(不帶隱含基準度)
ftref：頻率溫度穩定度(帶隱含基準溫)
fmax ：規定溫度範圍內測得的最高頻率
fmin：規定溫度範圍內測得的最低頻率
fref：規定基準溫度測得的頻率
說明
採用ftref指標的晶體振盪器其生產難度要高於採用ft指標的晶體振盪器,故ftref指標的晶體振盪器售價較高。
負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。
負載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF
激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等
老化率：在確定時間內輸出頻率的相對變化。
基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
