普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件,出現於70年代。是pnpn四層半導體結構,普通晶閘管它有三個極:陽極,陰極和門極; 晶閘管具有矽整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。
普通晶閘管t在工作過程中,它的陽極a和陰極k與電源和負載連線,組成普通晶閘管的主電路,普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連線,組成普通晶閘管的控制電路。 普通晶閘管的工作條件: 1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,普通晶閘管都處於關斷狀態。 2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導通。 3. 普通晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,普通晶閘管保持導通,即普通晶閘管導通後,門極失去作用。 4. 普通晶閘管在導通情況下,當主迴路電壓(或電流)減小到接近於零時,普通晶閘管關斷。
1. udrm:斷態重複峰值電壓 晶閘管耐壓值。普通晶閘管udrm 為 100v---3000v 2. urrm:反向重複峰值電壓 控制極斷路時,可以重複作用在晶閘管上的反向重複電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v) 3. itav:通態平均電流 環境溫度為40。c時,在 電阻性負載、單相工頻 正弦半波、導電角不小於170o的電路中,晶閘管允許的最大通態平均電流。普通晶閘管 itav 為1a---1000a。) 4. utav :通態平均電壓 管壓降。在規定的條件下,通過正弦半波平均電流時,晶閘管陽、 陰兩極間的電壓平均值。一般為1v左右。 5. ih:最小維持電流 在室溫下,控制極開路、晶閘管被觸發導通後,維持導通狀態所必須的最小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig:控制極觸發電壓和電流 在室溫下, 陽極電壓為直流 6v 時,使晶閘管完全導通所必須的最小控制極直流電壓、電流 。一般ug為 1~5v,ig 為幾十到幾百毫安。
普通晶閘管的主要缺點:過流、過壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很小:一旦過流,溫度急劇上升,器件被燒壞。 普通晶閘管承受過電壓的能力極差:電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間極短,也容易損壞。正向電壓超過轉折電壓時,會產生誤導通,導通後的電流較大,使器件受損。 一、過流保護措施 快速熔斷器:電路中加快速熔斷器。 過流繼電器:在輸出端串接直流過電流繼電器 過流截止電路:利用電流反饋減小普通晶閘管的 導通角或停止觸發,從而切斷過流電路。 二、過壓保護 阻容吸收:利用電容吸收過壓。即將過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中,然後由電阻消耗掉。 硒整流堆:硒堆為非線性元件,過壓後迅速擊穿,其電阻減小,抑制過壓衝擊。高電壓過後,硒堆可恢復到擊穿前的狀態。