材料科學技術材料科學技術材料科學技術
| 中文名稱 | 應變層 |
| 英文名稱 | strain layer |
| 定 義 | 因晶格畸變導致材料中產生應力的薄層。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
基本介紹
- 中文名：應變層
- 外文名：strain layer
- 定 義：因晶格畸變導致材料中產生
- 套用學科：材料科學技術（一級學科）
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材料科學技術材料科學技術材料科學技術
| 中文名稱 | 應變層 |
| 英文名稱 | strain layer |
| 定 義 | 因晶格畸變導致材料中產生應力的薄層。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
材料科學技術材料科學技術材料科學技術....
應變層單量子阱是由於量子阱與襯底上外延材料晶格常數不同，導致在量子阱中產生應變，該應變改變的單量子阱材料的能帶結構。套用學科 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
層應變 層應變（ply strain）是1993年公布的力學名詞，由全國科學技術名詞審定委員會審定發布。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《力學名詞》第一版。
為了不產生失配位錯，就發展出了所謂應變外延技術來製備異質結，即利用晶格存在畸變的薄應變層來過渡、通過彈性調節來避免晶格突變（中斷）的一種晶體生長技術。晶格失配異質結的外延生長可以有兩種情況 （a）生長層比較厚、界面處存在失配...
應變層半導體超晶格的會聚束電子衍射研究 應變層半導體超晶格的會聚束電子衍射研究是由北京中科科儀技術發展有限責任公司完成的科技成果，登記於1995年10月31日。成果信息 成果完成人 段曉峰