感應放電有時候也稱為 H 型放電，驅動場是方位場，這樣導致線圈內的磁通量發生變化。在放電管的內部或外部纏繞感應繞圈，在高頻電流經過線圈時，通過電磁感應原理在放電管中形成放電電流。從電學角度看，電漿對激勵線圈來說是單匝的次級線圈，線圈通過適當的阻抗匹配連線到功率源，吸收能量來維持放電。因此考慮放電的能量傳輸可以採用變壓器模型來近似，電漿產生閉合的電流可以看作變壓器的次級線圈，而初級線圈可以放在電漿中間或者放在電漿的周圍。這樣的放電被稱為“感應耦合”（ICD），“感應燈”、“螺紅管電場”（SEF）和“無散場度”等。這樣放電的燈管可以設計成很多形狀，根據磁芯線圈的組成和結構可以分為內置式和外置式兩種。在這樣的放電中只要提供足夠的功率來維持 H 型放電，它可以在比較低的頻率下就得到足夠的耦合效率，因此可以得到比較理想的發光效率。目前，感應放電可以實現的功率範圍為10——1000W，放電頻率在50kHz——100MHz之間。在實際的研究中還發現，這樣的設計相對比較簡單，而且電磁干擾比較小。另外，可以採用相對較低的頻率，所以可以降低鎮流器的電子元件成本。
