微納米MOS器件可靠性與失效機理

內容簡介

本書主要介紹了微納米MOS器件的失效機理與可靠性理論，目的是在微電子器件可靠性理論和微電子器件的設計與套用之間建立聯繫，闡述微納米MOS器件的主要可靠性問題和系統的解決方法。全書論述了超大規模積體電路的可靠性研究現狀，提出超大規模積體電路面臨的主要可靠性問題;描述了微納米MOS器件的主要失效機理和可靠性問題，以及上述各種失效機制的可靠性加固方法等，也是作者十餘年子阿該領域從事的科學研究和國內外相關研究的部分總結。

圖書目錄

序

前言

第1章 VLSI發展與可靠性研究進展

1.1 VLSI的發展規律

1.2 VLSI的主要可靠性問題

1.3 VLSI的可靠性研究現狀

1.3.1 微納MOS器件的熱載流子效應

1.3.2 微納MOS器件的NBTI效應

1.3.3 SOI器件的可靠性問題

1.3.4 超薄柵氧化層介質的可靠性

1.3.5 靜電損傷和閂鎖效應

1.3.6 ULSI中銅互連可靠性相關技術

1.3.7 非揮發性存儲器的可靠性

1.3.8 電漿工藝的可靠性

1.3.9 封裝與裝配可靠性

1.3.10 微電子機械系統和化合物半導體可靠性

1.3.11 VLSI失效分析技術

1.3.12 VLSI可靠性仿真技術

參考文獻

第2章微納米MOS器件的熱載流子效應

2.1 MOS器件的熱載流子效應

2.2 微納MOS器件的熱載流子效應

2.3 動態應力下MOS器件的熱載流子效應

2.4 熱載流子效應的測量和表征技術

2.4.1 電流-電壓特性測試

2.4.2 電荷泵測試

2.4.3 襯底熱載流子效應測試

2.5 nMOS器件的襯底電流和溝道電流分布建模

2.5.1 幸運熱載流子模型

2.5.2 溝道電流和襯底電流的二維分布建模

2.5.3 溝道電流和襯底電流二維分布模型的計算與比較

2.6 nMOS器件的柵電流分布建模

2.6.1發射電流和柵電流分布模型

2.6.2 nMOS器件的電子柵電流分布建模

2.6.3 nMOS器件的空穴柵電流分布建模

2.6.4 模型涉及參量的修正與選擇

2.6.5 發射電流和柵電流的分布特性

2.7 nMOS器件的高溫熱載流子退化

2.7.1 nMOS器件的高溫熱載流子退化

2.7.2 pMOS器件的高溫熱載流子退化

2.7.3 標準0.18umCMOS工藝的高溫可靠性測試標準

2.8 超深亞微米LDD MOS器件模型

2.8.1 LDD nMOS器件的本徵電流、電壓特性模型

2.8.2 LDD nMOS器件的源漏串聯電阻模型

微納米MOS器件可靠性與失效機理

基本介紹

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