微波電漿CVD是一種用於電子與通信技術領域的科學儀器，於2018年6月21日啟用。
基本介紹
- 中文名：微波電漿CVD
- 產地：中國
- 學科領域：電子與通信技術
- 啟用日期：2018年6月21日
技術指標,主要功能,
技術指標
5KW微波源，冷卻式樣品台，6路反應氣體輸入。
主要功能
單晶金剛石成膜。
微波電漿CVD
相關詞條
- 微波電漿CVD
微波電漿CVD是一種利用微波激發電漿進行化學氣相沉積的技術，主要用於單晶金剛石的成膜製備。該技術通過5KW微波源產生高能電漿，結合冷卻式樣品台和6路反應氣體輸入系統，實現金剛石薄膜的沉積過程。設備組成微波等離...
- 微波電漿CVD系統
微波電漿CVD系統是一種基於微波能激發電漿的化學氣相沉積裝置，其工作頻率為2450±50MHz，功率調控範圍覆蓋0.5-5kW。該系統配備多連線埠雙層水冷放電腔和精密真空控制系統，支持直徑100mm基板處理，適用於金剛石薄膜沉積、基片刻蝕、低溫氧化物生長等工藝研發。2023年5月，中國科學院寧波材料技術與工程研究所採購的...
- 微波電子迴旋共振電漿CVD設備
設備基於電子在磁場中的拉莫爾迴旋運動原理，當微波頻率與電子迴旋頻率達到共振條件時，氣體分子在10^-2～10^-3Pa低壓環境中被高效離解，形成電子密度達10^11～10^12cm^-3的高活性電漿。這種非平衡電漿具有獨特的空間分布特性，為薄膜沉積提供可控的反應環境。核心工藝特徵 突破傳統CVD技術需要高溫基底的限制...
- 海洋動密封材料微波電漿CVD沉積設備
海洋動密封材料微波電漿CVD沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，採用微波電漿化學氣相沉積（CVD）技術製備納米金剛石膜，於2017年11月30日啟用。該設備具備＞6 kW的微波功率輸出能力（微波功率波動＜2%），有效沉積面積≥80 mm，能夠實現納米金剛石膜在大尺寸密封器件表面的均勻沉積。技術原理 通過...
- 電漿增強CVD系統
電漿增強CVD系統是一種通過輝光放電產生電漿激活氣體，在低溫條件下實現化學氣相沉積的工藝設備。該系統在半導體、光伏和微機械製造等領域廣泛套用，可在80-400°C溫度範圍內實現>300 nm/min的沉積速率，具備低應力薄膜、高均勻性和保形性等技術優勢。主要型號包括處理ø300毫米晶圓的PD-330STC系統，以及...
- 電漿CVD納米材料生長系統
電漿CVD納米材料生長系統 電漿CVD納米材料生長系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年3月9日啟用。技術指標 樣品直徑：4 inch 射頻微波源功率：1000W 電漿密度：10e21 /cm2 溫度：室溫~800oC 氣體：H2, Ar, CH4, C2H2 壓強：50mtorr。主要功能 納米材料生長。
- 電漿化學氣相沉積
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。按產生電漿的方法，分為射頻電漿、直流電漿和微波電漿CVD等。簡介 電漿化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用電漿激活...
- 電漿CVD金剛石裝置
電漿CVD金剛石裝置 電漿CVD金剛石裝置是一種用於物理學領域的科學儀器，於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率 5KW。主要功能 教學、研究。
- 微波電漿化學氣相沉積
微波功率：每增加1kW可使電漿直徑擴大15mm，但功率>5kW易引發石墨相生成 基底溫度：7800℃為同質外延單晶金剛石的最佳溫度，超過8200℃會導致(111)面缺陷擴大 技術優勢 相比熱絲CVD法具有三項突破：電漿純度提升：無極放電避免鎢絲污染，金剛石膜雜質含量 沉積面積擴大：通過腔體結構最佳化可實現φ150mm基片均勻沉積...
- 等離子[體]增強CVD
等離子[體]增強CVD 等離子[體]增強CVD是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
- 電漿增強化學氣相沉積
在電漿的作用下，氣體在腔室中被解離，形成包含氣體分子、高能離子、電子、活性自由基等粒子的強反應物質。在沉積表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著複雜的電漿化學反應，沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下生長成膜。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈衝激發和微波激發。等離...
- 低溫電漿表面強化技術
第4章電漿增強化學氣相沉積 4.1電漿增強化學氣相沉積的原理 4.1.1電漿對CVD過程的影響 4.1.2PECVD沉積薄膜的形成過程 4.2電漿增強化學氣相沉積的特點 4.2.1PECVD的優點 4.2.2PECVD的缺點 4.3電漿增強化學氣相沉積技術 4.3.1PECVD技術分類 4.3.2PECVD工藝裝置 4.3.3PECVD工藝參數 4...
- 薄膜化氧化物燃料電池新穎CVD製備技術研究
《薄膜化氧化物燃料電池新穎CVD製備技術研究》是依託中國科學技術大學，由孟廣耀擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 針對目前氧化物燃料電池（SOFC）研製路線中困難和中溫操作的發展趨勢，提出一種全新的SOFC陽極-電解質-陰極（PEN）材料結構，發展新穎的氣溶膠微波電漿CVD技術，同位製備PEN多層膜。研究氣溶膠形成和輸運，電漿CVD過程...
- 放電等離子燒結
電漿是解離的高溫導電氣體，可提供反應活性高的狀態。電漿溫度4000～10999℃，其氣態分子和原子處在高度活化狀態，而且等離子氣體內離子化程度很高，這些性質使得電漿成為一種非常重要的材料製備和加工技術。電漿加工技術已得到較多的套用，例如電漿CVD、低溫電漿PBD以及電漿和離子束刻蝕等。等離子...
- 大尺寸CVD金剛石單晶的快速生長及其硼摻雜特性的研究
《大尺寸CVD金剛石單晶的快速生長及其硼摻雜特性的研究》是依託吉林大學，由李紅東擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本課題採用微波電漿化學氣相沉積(MW-PCVD)方法，在金剛石單晶籽晶上同質外延快速生長大尺寸金剛石單晶。研究反應室壓強、電漿密度、氣體流量比（氫氣：甲烷：氮氣）、基底溫度等製備參數對...
- 用大氣壓電漿CVD快速製備低溫晶化Si薄膜
《用大氣壓電漿CVD快速製備低溫晶化Si薄膜》是依託蘭州大學，由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用非平衡的低溫電漿技術製備薄膜半導體材料需要實現高速化。本項目提出採用非平衡的大氣壓超高頻電漿CVD技術快速製備用於太陽電池的低溫晶化Si薄膜。主要研究內容包括：1、持續穩定的大氣壓超高頻電漿...
- 迴旋離子束及其與CVD金剛石膜表面作用機理研究
《迴旋離子束及其與CVD金剛石膜表面作用機理研究》是依託武漢工程大學，由馬志斌擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 利用非對稱磁鏡場ECR電漿源產生迴旋離子束。利用微波在最大鏡比為2.4的非對稱磁鏡場中產生ECR微波電漿，採用磁電加熱等方式提高離子溫度到20-40eV，以此增大離子垂直於磁場方向的速度，從而...
- 微波化學(1999年科學出版社出版的圖書)
10.4微波電漿化學反應器 10.4.1表面波器件——Surfatron微波電漿反應器 10.4.2微波傳輸線電漿化學反應器 10.4.3電子迴旋共振微波電漿反應器 參考文獻 第十一章微波電漿合成化學 11.1微波電漿化學氣相沉積(MPECVD)11.1.1MPECVD法製備金剛石 11.1.2MPECVD法製備β?SiC，Co和BN薄膜 1...
- 電漿技術與套用實驗教程
實驗十六 電漿滲氮硬化金屬表面實驗 實驗十七 微波電漿化學氣相沉積法低溫合成碳納米管 實驗十八 納米TiO2薄膜的微波電漿改性 實驗十九 空心微珠表面磁控濺射鍍金屬銅膜 第三部分:電漿在微電子中的套用 實驗二十 ECR微波電漿刻蝕加工實驗 實驗二十一 微波電漿CVD製備多晶矽薄膜太陽能電池實驗 實驗...
- 微晶半導體
自20世紀60年代末S.維普瑞克團隊開創性製備氫化微晶矽以來，微波電漿CVD技術逐步成為主流製備工藝，實現高沉積速率與低缺陷密度。在套用中，微晶半導體憑藉高載流子遷移率與可控導電類型，廣泛套用於薄膜電晶體溝道層、光電轉換器件及顯示裝置，有效提升了器件性能與穩定性。結構特徵 微晶半導體薄膜由短程有序的微晶相（...
- 金剛石薄膜
微波電漿CVD（MPCVD）通過甲烷-氫氣混合氣體在微波場中離解生成活性碳原子，在基材表面形成納米晶粒結構，沉積速率可達1-10μm/h。2024年韓國團隊開發的液態金屬催化體系，在1025℃常壓條件下通過甲烷-氫氣與鎵-鐵-鎳-矽合金反應，150分鐘內生成厚度≤100nm的薄膜。基材預處理技術直接影響薄膜質量，包括：超聲清洗...
- 化學氣相澱積
隨著工業生產要求的不斷提高, CVD的 工 藝 及 設 備 得到不斷改進, 現已獲得了更多新的膜層, 並大大提高了膜層的性能和質量。與此同時交叉、綜合地使用複合的方法, 不僅啟用了各種新型的加熱源, 還充分運用了各種化學反應、高頻電磁( 脈衝、射頻、微波等) 及電漿等效應來激活沉積離子, 成為技術創新的重要途徑
- 山西新碳超硬材料科技有限公司
山西新碳超硬材料科技有限公司是一家專注於利用煤層氣合成金剛石的高科技企業。該公司採用微波電漿化學氣相沉積（CVD）法，將煤層氣轉化為金剛石產品，突破了國外技術壟斷，生產速率較傳統方法提升3至4倍。其產品涵蓋工具級、熱沉級、光學級、電子級金剛石，可套用於機械加工、航空航天、國防及核工業等領域。截至...
- 火焰水解反應
反應產生的SiO₂或摻雜的SiO₂堆積成多孔性坯棒再經燒結和透明化即成光纖坯棒。火焰水解反應製備光纖坯棒又分兩種方法：一種是徑向火焰水解法即CVD法，另一種為軸向火焰水解法即VAD法。側面橫向火焰水解法 側面橫向火焰水解法又稱電漿CVD法，是指用微波電漿使石英基管內氣態鹵化物原料氧化生成玻璃沉積膜...
- 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司
作為全球最大CVD金剛石全系列產品供應商，產品涵蓋光學級、熱學級、機械級三大類：光學視窗材料套用於"人造太陽"核聚變裝置 散熱基板套用於新一代半導體器件 異形結構件套用於量子計算設備2024年中標中國科學院合肥物質科學研究院CVD金剛石片採購項目，2025年成為緊湊型聚變能實驗裝置（BEST）核心供應商。資質與榮譽 通過...
- 化學氣相沉積設備
化學氣相沉積設備（CVD）是一種通過氣相化學反應在基體表面沉積固態材料的分析儀器。其核心類型包括金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、低真空化學氣相沉積（LPCVD）及電漿增強化學氣相沉積（PECVD）等，廣泛套用於半導體、LED、太陽能電池、透明電極等領域。設備通常由反應器、氣體傳輸系統、真空系統和控溫模組組成，支持從...
- 氣相沉積系統
設備利用波導管將微波源發生的微薄傳輸到CVD的反應腔，經過調諧，微波電磁場在CVD反應腔體中形成共振，腔體中引入的反應氣體在電磁場的作用下形成一定形狀的電漿，進而在電漿中放置的襯底表面生長所需的材料薄膜，如金剛石或者類金剛石薄膜等。在2 inch的Si襯底上，能夠以50mg/小時（7um/hr）的生長速度生成多...
- 薄膜沉積技術
電漿濺射沉積也可以根據電漿產生的方法不同，分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射。化學氣相沉積（chemical vapour deposition,CVD）包括低壓型（LPCVD）、常壓型（APCVD）、電漿增強型（PECVD）和金屬有機化合物型（MOCVD）。近年來一種新型薄膜沉積技術即原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）受到廣泛...
- 光化學氣相沉積
光CVD有著一些明顯特點:(1) 有效地降低了基底加工溫度，在100℃的基底溫度（甚至在室溫條件下）便可進行膜沉積。這就避免了因高溫工藝帶來的諸如反應系統對樣品的沾污、氣相自摻雜、雜質遷移、以及晶片翹曲因電漿轟擊而造成的晶格損傷等有害影響。(2)所沉積的膜厚均勻一致，台階復蓋性好，膜結構及電學特性均有...
- 化學氣相沉積
3）採用等離子和雷射輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。4）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。5）可以控制塗層的密度和塗層純度。6）繞鍍性好。可在複雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種複雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以...
