張析

張析，女，四川大學物理科學與技術學院教授。於蘭州大學物理系獲得本科（1998）與理學碩士（2001）學位，於美國賓夕法尼亞州立大學材料科學與工程系獲哲學博士學位。

基本介紹

• 中文名：張析
• 國籍：中國
• 職業：教授
• 畢業院校：美國賓夕法尼亞州立大學
• 學位/學歷：博士
• 職務：四川大學物理科學與技術學院教授

個人經歷

主持或作為主研參與多項研究項目，如中國國家自然科學基金、美國國家自然科學基金、賓夕法尼亞州立大學MRSEC納米科學基金等。基於本人的研究成果以及與其他研究人員的合作，已在 Nano Letters, Journal of Physical Chemistry, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Microscopy and Microanalysis, Journal of Crystal Growth 等國際著名學術期刊發表論文，以及在大型國際學術會議報告研究成果十餘篇次。科研成果已受同行的重視與好評，並因此受邀成為SCI期刊 Journal of Electronic Materials的審稿人。

研究方向

1. 低維半導體與金屬材料的製備與結構性能研究

2. 半導體、氧化物與金屬及異質結的表面與界面物理

3. 高解析度透射顯微鏡 (HRTEM)、EDS技術

4. 雷射脈衝氣相澱積(PLV)和化學氣相澱積(CVD)技術

5. 電化學沉積技術與溶膠凝膠法

科研項目

1. 中國國家自然科學基金，新型納米光電材料 - 硼，磷摻雜的IV-IV族複合半導體納米線的製備及性能研究，項目批准號11004142（2011.1-2013.12），主持

2. 四川大學引進人才項目經費， 主持

研究工作

長期從事低維半導體與金屬材料的製備與結構性能研究。

半導體納米線和半導體異質結納米線以其微小尺度和獨特而優良的物理特性成為當今納米科學與技術的研究焦點之一。第四族半導體納米線因為其潛在的巨大工業套用前景, 更成為此研究領域的重中之重。儘管目前晶體矽依然在現代半導體器件材料中占主導地位， 但是科學家已經發現矽鍺合金相比矽在某些方面具有更優良的材料性能和更廣闊的套用前景。矽納米線在國際上已經有了廣泛的研究和初期的嘗試套用，鍺納米線的研究也有少量的報導，然而對於矽鍺合金納米線和矽/鍺異質結納米線的研究卻很少。這是因為矽鍺合金和矽/鍺異質結納米線的生長機制複雜，生長條件的摸索還處於初期階段，且幾乎找不到現成的生長理論來指導。基於此科研背景，本課題組的研究方向包括：一維第IV族半導體(矽、鍺)合金與異質結納米線的的合成與生長機制研究、結構表征，以及一維第IV族異質結納米器件的結構與性能的實驗測量與計算機模擬研究。所運用的主要實驗手段包括雷射脈衝氣相澱積(PLV) 和化學氣相澱積 (CVD) 技術，以及高解析度透射電鏡（HRTEM）、EDS和SEM技術。迄今為止，已完成矽鍺合金和矽/鍺異質結納米線的合成以及生長機制的初步研究，並運用計算機模擬方法，結合實驗結果分析獲得鍺元素在合金納米線中的擴散係數與活化能。在Core-Shell結構的異質結納米線中張力對能量分布影響的計算機模擬研究中，發現納米線Core-Shell異質結相較平面異質結可容納更多的張力。在矽鍺異質結納米線的結構與性能研究中，提出並建立了矽/鍺異質結納米線的界面上的鍺含量分布函式的理論模型，並通過分析界面的STEM圖的強度分布，結合建立的界面模型，對界面寬度進行定量標定。這種方法可以廣泛地用來量化分析其他半導體材料的異質結納米線的界面寬度。