布洛赫線

布洛赫線（Bloch lines）是指磁疇壁中的微結構。即疇壁中磁化矢量的一種特殊的排列。1983年在磁泡存儲技術的基礎上提出了布洛赫線存儲器（BLM）的構想，即用磁泡薄膜條狀疇壁中的垂直布洛赫線（VBL）對（兩條）作為信息的載體，以VBL對的有、無來體現信息的“1”、“0”。

基本介紹

• 中文名：布洛赫線
• 外文名：Bloch lines
• 特點：VBL的形成都是成對的
• 定義：指磁疇壁中的微結構

研製

由於VBL的寬度非常窄，因而用同種磁泡薄膜製得的BLM的存儲密度比相應的磁泡存儲器大30—100倍。因此，在磁泡存儲器研製遇到極大困難的當時，BLM的研製和VBL物理的研究受到關注。

假設磁泡內的磁化向下，磁泡外的磁化向上，把磁泡壁展開。磁泡疇壁是典型的布洛赫壁，其正中的磁化矢量取向或向右或向左，能量是相同的。當這兩種磁化矢量構型相對時，就會形成一個磁化矢量轉動的過渡區。這個過渡區正中的磁化矢量垂直於疇壁，且過渡區貫穿磁泡疇的厚度，故被稱為垂直布洛赫線。按照磁泡疇壁中磁化矢量閉合的原則，實際上VBL的形成都是成對的。

新發現

一方面由於BLM器件的製作難度很大，另一方面在物理上又發現了VBL的溫度穩定性低於磁泡，而且條疇壁中VBL對數量的增加會改變磁泡疇的靜態特性，加之半導體的強烈競爭，BLM的研製在1990年初被放棄。