《射頻MEMS開關的失效機理及其高可靠長壽命實現技術》是依託廈門大學，由陳旭遠擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：射頻MEMS開關的失效機理及其高可靠長壽命實現技術
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳旭遠
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：50575191
- 申請代碼：E0512
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
RF MEMS 開關是具有廣泛套用前景、最基礎的微致動控制器件之一。國內、外學者的諸多套用研究結果均已表明了RF MEMS開關具有無與倫比的系統集成特點和出色的工作性能；但是，如何實現其高可靠性及長壽命這一問題仍然是RF MEMS開關大規模商品化的瓶頸。本項目將以靜電吸附失效機理的理論模型研究為基礎，探索RF MEMS開關早期失效的解決方案。以學術界尚不十分明確的RF MEMS 開關電介質層中電荷積累和弛豫機理作為本項目的理論攻堅；研究具有快速電荷馳豫機理的微納米複合介質膜；探索微納米層表面改性技術，設計低損耗多層內埋放電機制層介質結構；開發新設計和新工藝，創製微致動件工作微環境；設計靜電調製波形，新型密封技術，為研製用於我國高技術領域的高可靠性、長壽命的RF MEMS開關器件提供理論支撐和技術積累。
