大氣中子在先進存儲器件中引起的軟錯誤

書籍信息

書名大氣中子在先進存儲器件中引起的軟錯誤

書號978-7-118-10284-0

作者石紹柱

出版時間2015年10月

譯者

版次1版1次

開本16

裝幀平裝

出版基金

頁數219

字數276

中圖分類O572.34

叢書名

定價89.00

圖書目錄

"第1章緒論

1.1背景

1.2單粒子效應機制概述

1.3定量評估方法概述

第2章大氣中子能譜與劑量

2.1引言

2.2中子探測方法

2.2.1多慢化體譜儀（Bonner球）

2.2.2有機液閃譜儀

2.2.3劑量當量計數器（雷姆儀）

2.2.4疊層閃爍探測器

2.3實驗方法

2.3.1地面海平面高度的中子連續測量

2.3.2機載和高山條件下的中子測量

2.3.3數據分析

2.4結果與討論

2.4.1大氣壓的影響

2.4.2中子能譜

2.4.3中子周圍劑量當量率的時序結果

2.4.4中子通量均值和周圍劑量當量均值

2.4.5緯度、海拔高度和太陽活動導致的變化

2.4.6宇宙射線中子能譜的計算

2.5結束語

第3章大氣層輻射實驗

3.1實時SER

3.2統計和失效時間估計方法

3.2.1置信度

3.2.2軟錯誤率失效時間

3.3存儲器實時SER評估系統概述

3.3.1存儲器概述

3.3.2實時SER評估系統概述

3.4實時SER實驗環境

3.4.1大氣中子能譜與注量的時空變化

3.4.2實時SER實驗的地磁經度、緯度和高度

3.4.3白天、夜間和月度大氣劑量變化

3.4.4在實時SER實驗過程中監測中子劑量

3.5實時SER實驗前準備

3.5.1樣品選擇

3.5.2待測器件的準備與放置方向

3.5.3實驗項目驗證

3.5.4實驗點的有效中子通量

3.5.5實時SER實驗點

3.6噪聲對實時SER和中子劑量率的影響——野外實驗示例

3.6.1水泥衰減長度

3.6.2野外海拔依存度驗證

3.6.3野外中子劑量率與中子誘導軟錯誤之間的關係[3.26]

3.6.4環境中的等效中子劑量率

3.6.5RTSER與中子誘導軟錯誤率的多位翻轉比率間的比較

3.6.6美國實驗點SER實驗得出的多位翻轉與異常噪聲分析[3.26]

3.6.7太陽風的影響與中子劑量率變化之間的關係

3.6.8SER實驗後雷姆儀工作情況的檢查

3.7小結

第4章中子輻照實驗裝置

4.1中子輻照實驗裝置中使用的中子源概述

4.220MeV以下的單能中子源

4.2.114MeV中子源

4.2.2日本東北大學快中子實驗室不同能量的中子源[4.7]

4.2.3英國國家物理實驗室的可變能量中子源[4.10]

4.320MeV以上的準單能中子源

4.3.17Li(p,n)和9Be(p,n)中子源

4.3.27Li(p,n) 中子源的能譜及強度

4.3.3利用7Li(p,n) 中子源進行SEU實驗

4.3.4實驗的尾部修正方法[4.31, 4.32]

4.4散裂中子裝置

4.4.1散裂中子源概述[4.3, 4.34]

4.4.2美國新墨西哥州的洛斯·阿拉莫斯國家實驗室

4.4.3加拿大不列顛哥倫比亞省溫哥華三角大學的介子裝置[4.40]

4.4.4日本大阪大學的核物理研究中心[4.41, 4.42]

4.4.5不同散裂中子源中子通量的比較

4.5小結第5章實驗數據的評述與討論

5.1單能中子實驗與SEU激勵方程

5.1.1文獻報導的SEU截面

5.1.2利用單能和準單能中子源進行的SEU敏感性輻照實驗

5.1.3SEU能量閾值測量及其重要性

5.2SEU激勵方程的套用

5.2.1散裂中子輻射實驗與逆卷積方法

5.2.2利用LANSCE散裂中子源進行的實驗

5.2.3利用單能和準單能中子束驗證SER估計方法

5.2.4通過散裂中子實驗獲取SEU方程

5.2.5SER評估體系框架——SECIS

5.3MCU分析

5.3.1MCU率及其中子峰值能量依賴關係

5.3.2MCU率和MCU的頻率分布函式

5.4小結

第6章蒙特卡羅模擬方法

6.1核反應模型

6.2器件模型

6.2.1單元模型和基本的電荷收集機制

6.2.2MCU模型

6.2.3模擬無限單元矩陣的動態單元變換方法

6.2.4在單元矩陣中套用數據模式的方法

6.2.5在字中套用位模式的方法

6.3SER數值模擬數據

6.3.1矽半導體材料

6.3.2矽半導體元素

6.3.3總反應截面

6.3.4非彈性反應截面

6.3.5逆向兩體反應截面

6.3.6複合材料LET計算

6.4虛擬複合模型第7章模擬結果及其意義

7.1模型驗證

7.1.1核反應模型

7.1.2加速器實驗結果

7.1.3野外實驗結果

7.2等比例縮小的影響

7.3多位錯誤的非對稱性

7.3.1離散的和最鄰近的MCU

7.3.2對結構敏感的MBU

7.3.3抑制MBU的空白插入技術

7.4材料效應

7.4.1不同材料的次級離子

7.4.2虛擬複合材料器件的結果

7.5 SEU激勵方程的能量閾值第8章中子實驗方法的國際標準

8.1標準的發展現狀

8.2單能質子實驗方法

8.3(準)單能中子實驗方法

8.4散裂中子實驗方法

第9章總結和挑戰

9.1多位翻轉的標準實驗方法

9.2中子在邏輯器件中引起的錯誤

9.3對材料的深入研究

9.4系統級的可能反饋

9.5多種不同層次下的加固措施

9.5.1工藝或器件級的加固措施

9.5.2部件級的加固措施

9.5.3系統級的加固措施

9.6學科合作在未來研究中的必要性附錄

A.1放射性防護量綱

A.2總截面的近似函式

A.3非彈性截面的近似方程

A.4逆向反應截面GEM計算結果與文獻數據的比較

A.5矽器件襯底近似結果

A.6矽器件中襯底LET計算係數縮略語

參考文獻"