多柵電晶體技術

多柵電晶體技術是一種新型電路結構技術。

傳統電晶體是每個電晶體只有一個柵用來控制電流在兩個結構單元之間通過或中斷，進而形成計算中所需的“0”與“1”。而多柵電晶體技術是每個電晶體有兩個或三個柵，從而提高了電晶體控制電流的能力（即計算能力），並降低了功耗，減少了電流間的相互干擾。目前，英特爾、AMD（超微半導體）和IBM公司已分別在實驗室成功開發出多柵電晶體。2003年9月，AMD公布了採用全耗盡型絕緣矽（Fully-depleted SOI，FDSOI）、矽鍺、三柵（Tri-Gate）和鎳矽金屬柵（NiSi）的柵長為20納米的矽電晶體。IBM則已開始致力於將雙柵電晶體技術套用於晶片的生產，其矽鍺生產工藝等方面的進展會加快雙柵電晶體技術的產品化。英特爾於2003年6月在實驗室實現了柵長為30納米的三柵電晶體，預計在2010年前後實現三柵電晶體技術的產品化，並逐漸使三柵電晶體成為未來生產出尺寸更小、處理性能更強的晶片的關鍵技術。