| 中文名稱 | 外延層厚度 |
| 英文名稱 | thickness of an epitaxial layer |
| 定 義 | 從晶片表面到外延層 - 襯底界面的距離。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 外延層厚度 |
| 英文名稱 | thickness of an epitaxial layer |
| 定 義 | 從晶片表面到外延層 - 襯底界面的距離。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
中文名稱 外延層厚度 英文名稱 thickness of an epitaxial layer 定義 從晶片表面到外延層 - 襯底界面的距離。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體...
所謂外延層是指在積體電路製造工藝中,生長沉積在晶圓襯底上的那一部分。...... 外延層的厚度可以不同,用於高速數字電路的典型厚度是0.5到5微米,用於矽功率器件的...
外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,矽片最底層是P型襯底矽(有的加點埋層);然後在襯底上生長一層單晶矽,這層單晶矽稱為外延層;再後來在外延層上注入...
外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層,猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時,為了...
外延就是在單晶襯底上澱積一層薄的單晶層(如圖1所示)。新澱積的這層稱為外延層。外延為器件設計者在最佳化器件性能方面提供了很大的靈活性,例如可以控制外延層摻雜...
《砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法(GB/T 8758-2006)》由中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局中國國家標準化管理委員會發布,本標準的附錄A為資料性附錄。本標準...
減壓外延是指在低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法 [1] 。減壓外延適用範圍 編輯 主要用於矽外延。減壓外延優點 編輯 此法可減少自摻雜效應、縮小過渡層厚度...
多數半導體器件和積體電路的主體結構,由各種形狀和尺寸的薄層構成。這些薄層主要有二氧化矽、氮化矽、外延層、 摻雜擴散層、 離子注入層、金屬膜和多晶矽膜等。...
特性 外延生長工藝epitaxy growth technology利用晶體界面上的二維結構相似性成核的原理,在一塊單晶片上,沿著其原來的結晶軸方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不...
外延隔離(epitaxial isolation)是實現PN結隔離的一種常用工藝,它之所以稱為外延...一般在拋光後,取厚度為300～350微米較適宜。外延層是在襯底上生長的,它的質量...
很明顯這個liquid-phase epitaxy的缺點是重新研磨的高成本和外延層厚度精確控制的難度。 大多數現代外延沉積使用低壓化學氣相沉積(LPCVD)外延生長。...
矽外延生長其意義是在具有一定晶向的矽單晶襯底上生長一層具有和襯底相同晶向的電阻率與厚度不同的晶格結構完整性好的晶體。半導體分立元器件和積體電路製造工藝需要...
矽外延是在高溫下通過氣相化學反應,在拋光的矽單晶片上生長一層或多層矽單晶薄膜,通過控制生長條件,可以獲得不同電阻率,不同厚度及不同型號的外延層,主要用於製造...
(2) 生長出外延層厚度為2.5mm以下的高質量InP/InP材料,電學性能為77K時電子遷移率47600cm2/V·s(磷的裂解溫度為850℃),該結果是目前國際上已報導的MBE外延...
可見,該外延層穿通電壓也同樣限制著電晶體的耐壓性能。顯然,為了防止外延層穿通,就應該增大外延層的摻雜濃度及其厚度,使得在發生集電結雪崩擊穿之前不至於整個外延...
● 首次發現在Fe/Mn/Fe 單晶外延三層膜中,層間耦合隨著中介層Mn層厚度的增加表現出從鐵磁耦合逐漸過渡到反鐵磁耦合的現象(任意角度的層間耦合),並系統研究了Fe...
對LDMOS而言,外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區的長度是其最重要的特性參數。我們可以通過增加漂移區的長度以提高擊穿電壓,但是這會增加晶片面積和導通電阻。高壓DMOS...